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TCL外延研发部部长(XQ260711016)

社招全职8年以上研发技术类地点:福州状态:招聘

工作描述


任职要求
1.教育背景
本科及以上学历。材料科学与工程、物理、微电子、光电子、半导体物理、化学工程等相关专业。
2.工作经验
① 8年以上化合物半导体外延研发经验,其中3年以上外延研发团队管理经验。
② 具备完整的GaAs基外延产品开发管理经验(结构设计→工艺开发→量产导入全流程)。
③ 有VCSEL、HBT、pHEMT、光探测器等GaAs基光电器件外延成功开发及量产案例者优先。
3.专业技术能力
① 精通MOCVD(或MBE)外延生长技术,熟悉设备操作、工艺参数控制与日常维护。
② 深刻理解GaAs/InP等III-V族化合物半导体材料物理与外延生长机理。
③ 熟练使用XRD、PL、ECV、Hall、TEM、SIMS等外延材料表征与分析手段。
④ 熟悉外延结构设计方法,具备TCAD/Silvaco等器件仿真工具使用经验者优先。
⑤ 了解光通信芯片/射频器件在模块与系统中的性能要求。
4.管理能力
① 具备出色的战略思维…
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包括英文材料
学历+
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