长鑫存储SRAM器件研发工程师-TD SRAM Device Engineer(J18401)
社招全职1年以上研发技术类地点：合肥状态：招聘
工作描述
任职要求
1.具有微电子、集成电路、物理或材料等相关专业硕士研究生及以上学历，博士优先；
2. 精通半导体器件物理、CMOS工艺原理，熟悉常见类型SRAM的工作原理和相关外围电路设计方法；
3.具有1年及以上SRAM IP design/Device/HTOL相关经验，有相关制程（如FinFET）SRAM设计经验者优先；
4.具备良好的数据处理和分析能力，良…登录查看完整工作描述
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包括英文材料
学历+
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