长鑫存储SRAM器件研发工程师-TD SRAM Device Engineer(J18401)
社招全职1年以上研发技术类地点：合肥状态：招聘
任职要求
1.具有微电子、集成电路、物理或材料等相关专业硕士研究生及以上学历，博士优先；
2. 精通半导体器件物理、CMOS工艺原理，熟悉常见类型SRAM的工作原理和相关外围电路设计方法；
3.具有1年及以上SRAM IP design/Devic…登录查看完整任职要求
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工作职责
1.负责当前节点SRAM bitcell的全流程开发, 针对PPA的要求设计出符合工艺开发的cell array layout，包含不限于HD/HC/2P/DP等类型； 2.与Design部门对接, 明确关键电路设计需求和电性改善方向，建立高质量Model； 3.与PIE/UPD部门对接，提出明确的MTS、EDR和FMEA，针对PD/PG/PU器件建立相关的minitor流程； 4.与PTE/YE部门合作，针对defect类型和fail bit电性失效分析迅速定位问题，并给出SRAM相关工艺优化方向，推动良率提升； 5.与QRA部门合作，解决HTOL等可靠性问题，落实改善方案。
包括英文材料
学历+
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社招2年以上研发技术类
负责Sram的开发流程的设计、开发与优化，包括K库流程的开发、tiler代码的编写、QA流程的开发。
更新于 2026-06-12上海|合肥
社招6年以上技术-芯片
1. Finfet 先进工艺 SRAM 相关电路开发经验。 2. 熟悉 SRAM complier 相关知识，及开发流程。 3. 与项目团队, APR 团队合作优化 foundry 既有的 SRAM 周边电路。 4. 与项目团队, APR 团队合作开发，匹配 power, performance, area (PPA) 需求。 5. 有参与项目开发量产的经验。 6. 与布局工程师跟 CAD 工程师合作完成电路设计跟 complier 开发。 7. 熟悉 EDA 开发工具跟流程。 8. 好的沟通能力跟对工作的热情。
更新于 2026-06-29深圳|上海
社招5年以上技术-芯片
面向高性能SRAM, 基础IP或标准单元（如触发器、脉冲锁存器、逻辑触发器、特殊复杂单元等）的设计、验证及库生成。与晶圆厂开展DTCO（设计技术协同优化） 针对性能、功耗和面积（PPA）以及良率优化SRAM/定制电路。 开发定制版图并执行物理验证（例如，DRC、LVS）。 开展大量电路仿真，以验证SRAM的功能与性能、电气完整性及鲁棒性。 开发并改进SRAM/定制电路设计方法，包括用于设计、仿真和验证的自动化脚本。 与高性能CPU/SOC物理设计团队合作，提升产品PPA竞争力。 与产品工程师和测试工程师协作，制定测试方案并支持芯片流片。
更新于 2026-07-01北京|杭州|上海