长鑫存储产品工程师-Product Engineer(J18588)

1.CP测试流程和测试要求定义； 2.CP阶段首批硅出片验证; 3.CP测试条件优化良率提升； 4.CP测试覆盖控制； 5.产品良率监控以及计划推动； 6.CP失效分析以及工艺反馈； 7.新测试模式需求提出给到设计； 8.新测试图像开发。

1. 开发新的后端测试方法，构造完善的DRAM 芯片测试架构，确保CP/RDBI/FT 测试通过的颗粒其在客户端的品质 ； 2. 利用CP/RDBI/FT 数据挖掘对良率分析，失效分析以找出根本原因，提升产品良率； 3. CP/RDBI/FT程序优化。持续改进测试效率，包括流程优化，测试时间减少 TTR (Test Time Reduction)； 4. 具备封装相关的知识背景，确保对外合作的顺利进行； 5. 配合市场部门进行产品产出规划； 6. Fab制程变更风险评估，DRB/MRB风险评估和批次处置。

1. CP测试流程与规范定义：主导Memory CP测试流程和测试要求的定义，确保测试方案覆盖完整且高效； 2. 首批硅出片验证：主导CP阶段首批硅出片验证，完成电性测试与功能检查，输出验证结论； 3. 测试条件优化与良率提升：主导CP测试条件的优化，通过参数调整与流程改进提升产品良率； 4. 测试覆盖管控：主导CP测试覆盖率的控制与评估，确保测试覆盖率达标； 5. 良率监控与改善推动：主导产品良率监控，分析良率数据并推动改善计划落地； 6. CP失效分析与工艺反馈：主导CP失效分析，定位问题根因并输出分析结果，反馈给工艺部门推动改善； 7. 新测试模式需求提出：协同设计团队提出新测试模式需求，推动测试方案迭代； 8. 新测试图像开发：主导新测试图像的开发与验证，提升测试效率与准确性。

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