长鑫存储量产HKMG制程整合工程师-FAB HKMG PIE(J16153)
任职要求
1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、集成电路、化学、物理、材料等相关专业；有扎实的半导体器件物理基础知识，有HKMG相关经验者优先；
2.行业与专业经验：至少3年以上PI、PE…工作职责
1.进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求，提炼出对器件的关键尺寸要求、电性要求和可靠性要求； 2.整合优化制程，领导Device以及Module稳定产线，提升产品HKMG的良率，并且扩展产能，降低产品成本； 3.做好FMEA，对关键路径做好风险管控并且定好高风险项目的验收标准，确保新产品验证成功。
1. DRAM测试流程与原理应用：理解存储产品各测试流程以及测试意义，掌握DRAM结构和测试pattern的测试原理，掌握DFT的运用并具备提出DFT优化的能力。2. 测试结果数据分析：能理解测试数据并提取有效信息，能分析数据判断程式是否存在异常或亚健康，识别程序优化或TTR的机会。3. 机台功能应用：熟悉机台的资源配置（Power/Channel/Pin/DUT），掌握机台工具，熟悉机台测试的能力极限。4. 程序开发与验证：独立编写condition table、BIN sorting，能全面拆解并讲解pattern，具备独立开发pattern和验证能力。5. TTR能力：了解TTR的目的，定期监测产品测试时间，掌握至少3种TTR方法/经验，并能从pattern原理的角度进行TTR。6. 程序异常debug：能独立解决产线突发异常，针对常规产线问题制定完善的SOP。
1.工艺制程整合技术改良：带领PIE团队不断进行芯片工艺制程整合技术改良与维护； 2.新产品工艺技术转移：带领团队进行新产品工艺技术转移，实现高水平的电学性能、可靠性能的终端产品要求； 3.良率提升路线图建立：管理与带领团队对相关工艺进行技术改良，提升芯片良率，建立切实可行的良率提升路线图； 4.产品与工艺导入领导：带领团队从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入，并进行工艺整合的优化升级。
1.制程问题攻坚：主导光刻工艺异常的根本原因分析，制定解决方案并推动落地； 2.工艺优化与创新：通过参数调优、新材料/设备评估，持续提升量产良率与效率； 3.技术路线开发：领导下一代光刻工艺的预研与技术突破； 4.专案与团队管理：统筹跨部门专案（如良率提升、成本优化），指导工程师团队达成目标。
1.设计离子注入工艺方案，调试参数（如能量、剂量、角度等）以满足芯片性能需求； 2.主导新工艺导入（NPI），完成工艺验证及稳定性测试； 3.监控工艺波动，通过DOE实验优化参数，解决注入均匀性/缺陷问题； 4.编写工艺规范文件（SOP）及培训新员工（经半年试用期后可转课经理管理岗）。