长鑫存储DRAM产品研发工程师(良率提升) | DRAM Product Development Engineer (yield improvement)(J17283)
任职要求
1.本科以上， 自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业； 2.具有半导体或芯片相关的电路设计，测试开发与产品验证经历，2年以上工作经验优先； 3.有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先； 4.熟悉半导体测试系统，熟悉Advantest T550HS使用方法与原理优先； 5.了解DRAM存储器基本原理，熟悉半导体元件与IC制造生产测试流程优先； 6.具有良好的电路基础，具备一定的C语言或汇编语言编程能力； 7.具备良好的团队合作、逻辑推理、沟通、报告和工程实验设计等能力； 8.具有较好的工作主动性、团队合作、良好的创新创业精神。
工作职责
1.研发新产品FT导入； 2.研发新产品的FT array测试和speed性能测试； 3.研发阶段的FT良率监控，数据分析，不良样品的电性分析和良率改善； 4.研发阶段的产品FT测试覆盖率的提升； 5.研发新产品的FT测试程式维护。
1.从事DRAM工艺制程研发工作,主要负责对上千种不同制程进行极高要求的整合，使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门，电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新，以实现高水平的电学性能，可靠性能的终端产品要求。 2.对相关工艺改良，提升芯片良率。在深入了解和掌握各种电学参数，产品参数的基础上，对与各种由产品设计，制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究，并以此为基础通过多种数据分析，建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计，制程研发，良率从零到一， 从一到一百的极限理想目标的靠近。 3.新产品及新工艺导入。 通过系统性了解新产品以工艺的整个流程， 从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入，同时在此过程中负责工艺整合的优化升级，达到提升电学性能，可靠性能以及良率的要求。
1.从事DRAM工艺制程研发工作,主要负责对上千种不同制程进行极高要求的整合,使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门,电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新,以实现高水平的电学性能,可靠性能的终端产品要求； 2.对相关工艺改良,提升芯片良率在深入了解和掌握各种电学参数，产品参数的基础上,对与各种由产品设计,制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究,并以此为基础通过多种数据分析,建立切实可行的良率提升路线图,推动DRAM从产品设计,制程研发,良率从零到一, 从一到一百的极限理想目标的靠近； 3.新产品及新工艺导入 通过系统性了解新产品以工艺的整个流程，从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入,同时在此过程中负责工艺整合的优化升级,达到提升电学性能,可靠性能以及良率的要求。
1. 从事先进DRAM工艺制程研发工作。主要以实现关键技术节点器件电学性能为目的，对各种先进单点工艺制程进行极高要求的整合, 使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门,电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新, 以达成高水平的电学性能和可靠性能的终端产品要求； 2. 对相关工艺改良, 提升芯片良率。 在深入了解和掌握各种器件电学参数, 产品参数的基础上, 对与各种由产品设计, 制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究， 并以此为基础通过多种数据分析, 建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计, 制程研发, 良率从零到一，从一到一百的极限理想目标的靠近； 3. 新产品及新工艺导入。通过系统性了解新产品及工艺的整个流程，从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入, 同时在此过程中负责工艺整合的优化升级, 达到提升电学性能, 可靠性能以及良率的要求； 4. 具备对新型DRAM做系统性调研的能力，其中包括新型阵列存储架构，器件结构，晶体管/电容器材料，以及关键工艺和工艺集成的信息调研。对TEG设计，外围电路设计，工艺及器件仿真有一定程度的了解，具备与相关领域的专家对接并开展工作。
1.负责新产品Anti-Fuse研发阶段产品导入和测试验证； 2.负责新产品Anti-Fuse研发阶段产品特性分析； 3.负责新产品Anti-Fuse研发阶段良率提升。