长鑫存储Passive 器件研发工程师-TD Passive Device Engineer(J18417)

任职要求

1、具有微电子、物理、材料等专业硕士研究生及以上学历；
2、具备半导体器件物理、CMOS、passive device 工作原理基础知识，了解工艺流程；
3、具有半导体行业经验…

工作职责

负责 passive device (包括BJT、diode、varactor、MIM/MOM、Resistor 等）开发，工作内容包括：
1、根据客户需求，对接design，设计满足客户要求性能的器件；能基于design rule 进行 layout 设计，完成 器件model target 建立；
2、熟悉先进逻辑工艺流程，了解器件工作原理，与PIE部门对接，优化工艺，优化器件性能；
3、设计Testkey 测试器件关键电性，分析WAT 测试结果与inline 关系，优化器件性能，并结合WAT 测试结果进行Model 校准