长鑫存储SRAM器件研发工程师 | SRAM Device Engineer(J15100)

社招全职1年以上研发技术类2025-09-19地点：合肥状态：招聘

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任职要求

1.具有微电子，物理，材料等工科相关专业硕士研究生及以上学位； 
2.一年及以上SRAM cell design/Device/HTOL相关经验；
3.具有FinFET工艺及器件开发经验者优先；
4.工作态度积极认真，具有良好的团队协作能力；
5.具备良好的数据分析能力，良好的报告书写和讲演能力。

工作职责

1.负责当前节点SRAM bitcell的design, 设计出符合工艺开发的cell，包含不限于HD/HC/2P/DP cell；
2.与Design部门对接, 明确关键电路设计需求和电性改善方向，建立高质量Model；
3.与PIE/UPD部门对接，提出明确MTS和EDR，并建立监测流程； 
4.与PTE/YE部门对接，针对fail bit类型/defect关联指导并定位SRAM相关工艺方向提升良率；
5.与QRA部门对接，解析相关HTOL问题，提出并且落实改善方案。

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难度：

包括英文材料

学历+

数据分析+

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