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长鑫存储DRAM电路和特性分析工程师 | DRAM Circuit And Characteristic Analysis Engineer(J13161)

社招全职3年以上研发技术类地点:合肥 | 西安状态:招聘

任职要求


1.本科以上, 微电子、自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业;
2.具有半导体或芯片相关的电路设计或测试或硬件开发3年以上工作经验;
3.有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先;
4.具备一定的C语言或汇编语言编程能力;
5.有电路设计基础,Verilog基础,电路仿真经验者优先;
6.具备良好的团队合作、逻辑推理、沟通、报告和工程实验设计等能力;
7.具有较好的工作主动性、团队合作、良好的创新创业精神;
8.具备较强的动手能力。

工作职责


1.负责新产品研发阶段问题的根因分析;
2.深入了解电路功能和性能,提供更有效的测试方法和coverage;
3.负责FIB方案确认电路问题原因和改版措施;
4.客退品问题分析,需要找到具体的缺陷位置。
包括英文材料
C+
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社招1-2年研发技术类

1.负责新产品Anti-Fuse研发阶段产品导入和测试验证; 2.负责新产品Anti-Fuse研发阶段产品特性分析; 3.负责新产品Anti-Fuse研发阶段良率提升。

更新于 2025-09-30
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社招研发技术类

1. 利用辅助实验设备(ATE/AWG/OSC/BERT等),负责开发新产品的silicon后高速IO相关的performance之类的验证; 2. 基于芯片spec,对DRAM 高速IO进行功能和特性测试; 3. 负责新产品研发阶段高速IO相关问题的debug和根因分析;

更新于 2025-09-19
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社招研发技术类

1. DRAM存储单元的特性与测试规格开发; 2.感应放大器电路性能的调试以及设计验证; 3.芯片电源供应器的性能分析及设计验证; 4.产品Burn-in测试条件的开发; 5.Anti-Fuse的测试条件开发及设计验证。

更新于 2025-09-19
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1. 负责根据SSD产品的硬件电路,进行测试策略制定; 2. 负责SSD产品的硬件电路的电性能测试,如:IIC\SPI\UART\Clock\电源纹波\噪声\电源环路\ONFI\DRAM接口等; 3. 负责SSD产品的测试问题分析,配合硬件设计团队进行问题的调试解决; 4. 完成并输出测试报告;

更新于 2025-05-27