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长鑫存储模拟电路(JP)(J16341)

校招全职电路设计类状态:招聘

任职要求


学历要求:硕士及以上,博士优先
专业要求:微电子/集成电路/半导体设计/电子工程等集成电路相关专业
其他要求:
1.通过Eiken 准1级/TOEFL 80+/JLPT-N1/CET-6,具备良好的英文听说读写能力
2.熟悉半导体器件,集成电路工艺流程,熟悉ESD Latch-up原理,有一定的电路基础
3.有版图工作或者培训经验者优先
4.熟练掌握Cadence Calibre等CAD及验证工具
5.工作态度积极主动,具有良好的沟通能力及团队合作精神
6.吃苦耐劳,具备较强的学习能力,热爱版图设计工作

工作职责


1.负责模拟电路设计,包括SPEC的定义/电路设计/设计报告撰写以及仿真验证等
2.评估存储产品中的模拟前沿技术
3.模拟/验证和分析优化内存产品中的模拟电路
4.指导版图布局,优化和验证
5.为硅调试产品工程提供支持
包括英文材料
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校招电路设计类

1.负责数字电路设计,包括SPEC的定义/电路设计/设计报告撰写以及仿真验证等 2.评估和优化前沿技术中的内存体系结构和方法 3.设计内存产品的IPS的全定制电路 4.模拟/验证和分析内存功能和性能 5.监督布局和验证过程,包括布局和布线,DRC/LVS 6.为硅调试产品工程提供支持

更新于 2025-09-30
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校招电路设计类

1.设计电路审核的流程及质量控制 2.产品电路设计过程中部门项目支持 3.使用最先进的技术设计和验证高级内存产品中使用的模拟/混合信号电路 4.设计和验证高速/功能复杂/低功耗和电源管理技术先进的存储器芯片

更新于 2025-09-30
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校招电路设计类

1.评估和优化前沿技术中的内存体系结构和方法 2.辅助设计内存产品的IPS的全定制电路 3.模拟/验证和分析内存功能,时序和性能 4.为产品测试工程提供仿真支持

更新于 2025-09-30
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校招电路设计类

1.负责NAND Flash、其他存储器外围模拟电路设计、版图规划与设计 2.负责NAND Flash、其他存储器阵列驱动数模混合电路设计、仿真及验证 3.负责NAND Flash、其他存储器高速接口及数据通路设计、仿真及验证 4.负责模拟电路设计、架构研究及性能优化 5.负责负载估算、芯片控制建模、模块级前后仿真验证、顶层芯片联合仿真与验证及版图优化等 6.负责NAND Flash、其他存储器芯片测试、debug及改版

更新于 2025-08-06