长鑫存储HKMG 制程整合工程师IHKMG PI Engineer(J15985)

1. 作为HKMG technical leader协助leader把控技术方向，给与技术指导。 2. 和团队一起优化HKKMG工艺，降低缺陷率 & 良率提升 & 提升CMOS电性性能。 3. 帮助提升团队整体技术能力。

1.进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求,提炼出对器件的关键尺寸要求,电性要求和可靠性要求;领导Device以及Module等研发部门通过技术创新,新机台引进,开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的件； 2.开发HKMG工艺的PDK(Design Rule, EDR, Device Model...)应用到NN,N+1,N+2代DRAM平台,同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容,最终实现高速低漏电的电学性能能,高可靠性的终端产品要求； 3.新产品导入以及良率提升。从与design合作开始参与新产品设计评估;与tapeout team合作设计testkey,tape out光罩;与制程和生产部门合作pilot run;不断进行工艺整合的优化升级,提升电学性能,可靠性能以及良率。

1. 进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求，提炼出对器件的关键尺寸要求，电性要求和可靠性要求；领导Device以及Module等研发部门通过技术创新，新机台引进，开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的器件。 2. 开发HKMG 工艺的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 应用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平台，同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容，最终实现高速低漏电的电学性能，高可靠性的终端产品要求。 3. 新产品导入以及良率提升。 从与design合作开始参与新产品设计评估；与tape out team 合作设计testkey， tape out光罩；与制程和生产部门合作pilot run；不断进行工艺整合的优化升级，提升电学性能，可靠性能以及良率

1. 熟悉半导体物理、材料学及先进逻辑制程。 2. 负责HKMG中高介电材料（如HfO2）的工艺调试及开发。 3. 负责新材料、新结构、新设备的评估以及技术路线的推进。