长鑫存储HKMG制程整合研发| TD HKMG PIE(J12044)
社招全职3年以上研发技术类地点：合肥状态：招聘
任职要求
1.硕士及以上学历,微电子、集成电路、化学、物理、材料等相关专业。
2.有扎实的半导体器件物理基础知识。
3.至少3年以上PI、 PE、YE…登录查看完整任职要求
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工作职责
1. 进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求，提炼出对器件的关键尺寸要求，电性要求和可靠性要求；领导Device以及Module等研发部门通过技术创新，新机台引进，开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的器件。 2. 开发HKMG 工艺的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 应用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平台，同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容，最终实现高速低漏电的电学性能，高可靠性的终端产品要求。 3. 新产品导入以及良率提升。 从与design合作开始参与新产品设计评估；与tape out team 合作设计testkey， tape out光罩；与制程和生产部门合作pilot run；不断进行工艺整合的优化升级，提升电学性能，可靠性能以及良率
相关职位
社招
1. 熟悉半导体物理、材料学及先进逻辑制程。 2. 负责HKMG中高介电材料（如HfO2）的工艺调试及开发。 3. 负责新材料、新结构、新设备的评估以及技术路线的推进。
更新于 2025-02-28武汉
社招6年以上研发技术类
1.负责HKMG工艺调整开发； 2. HKMG新材料/机台评估 ； 3. HKMG 相关cost down； 4. 新人培训 5.对接fab 工艺transfer。
更新于 2025-11-14合肥
社招研发技术类
1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发； 2.DRAM核心区器件设计及优化； 3.制程工艺TCAD仿真； 4.HKMG器件工艺开发； 5.DRAM可靠性评估与改进。
更新于 2025-09-30北京
社招1年以上研发技术类
1、负责新型薄膜材料及工艺的研发，优化薄膜沉积（如CVD、PVD、ALD等）工艺参数，提升器件性能及良率；设计并执行DOE实验，分析工艺窗口，推动薄膜工艺的持续改进； 2、对薄膜材料特性（如厚度、应力、均匀性）、缺陷数据及电性测试结果进行深度分析，识别关键影响因素；主导薄膜相关异常问题的根因分析，制定解决方案并验证； 3、与器件设计、整合、制造等部门紧密合作，确保薄膜工艺满足产品性能需求；支持新工艺从研发到量产的转移，协助解决量产过程中的工艺问题； 4、跟踪薄膜技术领域前沿进展，评估新工艺、新材料的可行性； 5、熟悉薄膜设备硬件架构，参与设备选型及调试，提升工艺稳定性；
更新于 2025-09-19合肥