长鑫存储HKMG制程整合研发| TD HKMG PIE(J12044)

1.进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求,提炼出对器件的关键尺寸要求,电性要求和可靠性要求;领导Device以及Module等研发部门通过技术创新,新机台引进,开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的件； 2.开发HKMG工艺的PDK(Design Rule, EDR, Device Model...)应用到NN,N+1,N+2代DRAM平台,同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容,最终实现高速低漏电的电学性能能,高可靠性的终端产品要求； 3.新产品导入以及良率提升。从与design合作开始参与新产品设计评估;与tapeout team合作设计testkey,tape out光罩;与制程和生产部门合作pilot run;不断进行工艺整合的优化升级,提升电学性能,可靠性能以及良率。

1.从制程及整合的角度承接研发到量产HKMG loop 的技术转移和新产品导入 2. 数据，问题分析，plan实验，提升芯片良率，推动良率提升 3. 提升产品可靠性，达成高品质标准 4. 配合module 优化产能，展开机型

1. 作为HKMG technical leader协助leader把控技术方向，给与技术指导。 2. 和团队一起优化HKKMG工艺，降低缺陷率 & 良率提升 & 提升CMOS电性性能。 3. 帮助提升团队整体技术能力。

1. 熟悉半导体物理、材料学及先进逻辑制程。 2. 负责HKMG中高介电材料（如HfO2）的工艺调试及开发。 3. 负责新材料、新结构、新设备的评估以及技术路线的推进。