长鑫存储设计分析工程师 | Design & Silicon Analysis Engineeer(J15916)
社招全职5年以上电路设计类地点：上海状态：招聘
任职要求
1.本科毕业5年以上，或者硕士毕业3年，博士毕业1年以上； 2.有MOSFET器件研发、仿真、产品开发等经验； 3.或者有存储产品相关经验，熟悉阵列设计方法，对感应放大器设计及 timing，IDD等领域优化有丰富经验； 4.具备半导体工艺流程及器件相关知识； 5.良好的沟通能力和跨部门协作能力； 6.良好的工作英语交流能力。
工作职责
1.从MOSFET优化着手，参与Dram相关电路设计及其设计优化； 2.基于对当前dram电路的风险评估，提出改善优化方向； 3.针对低良率或可靠性问题，和产品部门合作，通过电路和失效分析，建立失效模型，定位真因； 4.从电路设计出发，和工艺及产品部门合作一起推动产品良率持续爬升； 5.通过研究思考以及和业界对标等方法，对优化电路设计提出指导方向。
包括英文材料
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1.拆解DRAM电路对器件可靠性的需求, 制定可靠性相关design rule和spec.； 2.基于aging model/ECR rule进行电路的可靠性老化仿真, 分析研究相关degradation机理, drive产线可靠性部门改善； 3.统筹BI/HTOL等产品可靠性项目的失效分析, 分析电路失效机理, 提供改善建议； 4.调研总结DRAM可靠性关键电路,相关失效机理和改进方案方法, 形成lesson learn和DFMEA; 5.建立并完善DRAM相关的DFR规范; 6.研究建立从器件-电路-产品的可靠性co-relation, 发布相关技术和学术成果；
更新于 2025-09-19
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1.分析CMOS器件WAT结果，根据in-line数据分析原因； 2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标； 3.与产品设计部门合作，对关键器件参数进行优化； 4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。
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更新于 2025-09-19