长鑫存储化学机械研磨工艺研发工程师 | TD CMP Process Engineer(J17110)
任职要求
1、3年及以上半导体行业工作经验；
2、具备先进的氧化物/金属/多晶硅 (Oxide/Metal/Poly) CMP 工艺开发经验（例如：低介电常数材料 (low k)、碳材料 (Carbon)、氧化铝 (AlO) CMP）；
3、具备探索精神、积极主动，并追求卓越品质；工作职责
1、负责新产品 CMP (化学机械抛光) 工艺技术的研究与开发； 2、与设计、器件、工艺整合及可靠性部门紧密合作，以满足新产品工艺在电性、可靠性、良率和成本方面的要求； 3、负责新机台和新材料的合作研发、评估与开发，并配合未来技术开发线的建立与实施； 4、负责与量产部门合作进行技术转移，以最大限度缩短新产品的量产周期；
1. 负责CMP工艺的研发与优化，确保工艺的稳定性和一致性，以满足半导体器件的高精度制造需求； 2. 通过数据分析，监控CMP工艺过程中的参数，确保产品质量，减少缺陷率，提高良品率； 3. 当遇到工艺问题时，进行故障排查，分析原因，提出并实施有效的解决方案； 4 参与跨部门项目，与材料供应商、设备制造商等合作，共同推进新技术和新材料的应用。
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/扩散/离子注入/薄膜等； 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求； 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路； 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等； 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期。
基于半导体全工艺物理仿真技术，建立wafer数字孪生，以此为基础实现设计与工艺协同优化（DTCO），制程Flow优化，path finding等，并结合电性仿真验证元件特性及不良分析。 1、半导体工艺（光刻/刻蚀/化学机械研磨等）建模模拟，评估模型准确度与适用性； 2、通过工艺模拟实现设计与工艺协同优化设计，在版图出版阶段预测版图weak point； 3、通过工艺仿真找到工艺极限窗口，向Design及Layout 反馈并更新已有规则 4、仿真结构与TCAD 仿真结合。
1. 评估新产品从研发转移到量产的合理性。 2. 作为研发和量产的桥梁，协助工艺/机台的定义，lesson learnt分享以及工艺方案的优化。 3. 负责协调跨部门合作，协助转移新研发技术成功量产。 4. 维护产线稳定，及时处理设备和产品的异常问题。 5. 配合工艺整合部门及其他工艺部门，改善制程配方，提升产品良率。 6. 完成全新工艺/机台/材料的风险评估。