长鑫存储工艺整合研发(BJ)(J17408)
任职要求
学历要求：本科及以上，博士优先 专业要求：微电子、量子工程、凝聚态物理等前沿领域背景，或微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业 使命信仰：以颠覆性创新为信仰，以定义下一代存储技术范式为使命 其他要求： 1.富有探索精神，积极主动，追求卓越，善于以创新方式解决问题 2.拥有优秀的逻辑思维和良好的数据分析能力 3.具备较强的学习能力、沟通能力、吃苦耐劳精神和团队合作精神
工作职责
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/键合/扩散/离子注入/薄膜等 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期
1.Be responsible for the design and development of the device architecture of 3D NAND Flash, and deeply participate in the whole process from concept design to mass production. Utilize professional knowledge to carry out innovation at the architecture level, optimize the structure of memory cells, and improve storage density, performance and reliability. 2.Collaborate with the circuit design team to complete the efficient transformation from device physical characteristics to circuit logic, ensuring the compatibility and performance of the overall system. And increase the read and write speed and reduce power consumption. 3.Lead the research and application of new technologies, explore cutting-edge fields such as new materials and manufacturing processes, and provide technical support for the performance breakthrough of 3D NAND Flash. Through the research on industry trends, promote technological innovation and enhance product competitiveness. 4.Conduct in-depth analysis of the problems in the R&D process by using the knowledge of device physics and semiconductor processes, and put forward effective solutions. Use data analysis and modeling techniques to optimize device performance and ensure that products meet high-quality standards. 5.Lead/Participate in test chip tapeout for new memory technology development and product chip tapeout for production introduction 6.Interact with process module, material, simulation, device characterization and reliability group to optimize process flow, improve memory cell device performance and develop innovative solution to meet product requirement and qualification criteria 7. Drive cross-functional team including process module, device, product engineering, design, YE, YAE, TO, and Test to address process/technology gap and yield/margin issues
1.熟悉半导体研发工艺和产品流片过程 2.采用统计制程管理方法，提高电学参数及在线监控参数的综合制程能力(CP&CPK) 3.依据研发需求，制定、创新工艺制程方案，发现并解决在线工艺问题，协调各个部门提出解决方案，根据结果及时更新到研发流程中，确保产品的进程 4.能够处理在线实验产品, 及时应对突发状况，针对测试流片的结果对工艺过程、线上参数、电性、可靠性、良率写总结报告 5.熟悉NAND、NOR、CMOS器件原理，理解版图设计规格，设计测试图形，定期分析WAT参数、良率、可靠性，制定改善措施以优化研发工艺过程，提高产品良率 6.实施产品流片，制定管控计划，数据收集，问题改善等 7.总结产品研发过程中的经验教训，形成经验总结，反馈到下一代产品研发进程中1.熟悉半导体研发工艺和产品流片过程 2.采用统计制程管理方法，提高电学参数及在线监控参数的综合制程能力(CP&CPK) 3.依据研发需求，制定、创新工艺制程方案，发现并解决在线工艺问题，协调各个部门提出解决方案，根据结果及时更新到研发流程中，确保产品的进程 4.能够处理在线实验产品, 及时应对突发状况，针对测试流片的结果对工艺过程、线上参数、电性、可靠性、良率写总结报告 5.熟悉NAND、NOR、CMOS器件原理，理解版图设计规格，设计测试图形，定期分析WAT参数、良率、可靠性，制定改善措施以优化研发工艺过程，提高产品良率 6.实施产品流片，制定管控计划，数据收集，问题改善等 7.总结产品研发过程中的经验教训，形成经验总结，反馈到下一代产品研发进程中
1. 负责新产品的导入； 2. 参与新产线的建立，以及产品的良率验证； 3. 参与与新产品相关的良率和产品性能的提升工作； 4. 针对新设备和材料进行工艺步骤的改良和工艺规格的重新设定； 5. 通过工艺流程优化调整,提高制程稳定性。