长鑫存储工艺工程研发(BJ)(J17406)

岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式

1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发； 2.DRAM核心区器件设计及优化； 3.制程工艺TCAD仿真； 4.HKMG器件工艺开发； 5.DRAM可靠性评估与改进。

1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/键合/扩散/离子注入/薄膜等 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期

1.分析Array器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件所存在的问题和物理机制，促使器件参数达标； 2.结合WAT、inline和CP数据，从电性角度分析良率提升的方向； 3.与工艺工程师和整合工程师合作，改善工艺条件和器件结构参数，促使器件特性和良率提升； 4.进行器件改善和良率改善lot的试验，并对电性等结果进行分析； 5.根据产品设计需求和工艺能力，制定器件电学目标和结构物理参数目标。