长鑫存储电性失效分析专家-EFA Expert(J19750)

1.主导DRAM电性失效分析及电路原理拆解，提供技术性指导，推动失效根因定位与闭环； 2.掌握DRAM测试pattern sequence原理及模拟验证方法，并能对团队进行技术性指导。

1.负责动态存储器芯片及封装的电性失效分析，数据整理归纳，根据测试，设计，版图合理定位失效点 2.提供逻辑完善的电性失效分析报告，并送样品去其他相关部门进行物理失效分析 3.及时、高效的完成组长或经理交予的相关工作任务 4.实验室5S维护，失效分析实验室的能力建设；新失效机台和分析手法的评估及引入 5.对内外部相关人员的培训6.跨部门沟通和交流

1. 电性失效分析执行：主导CP/FT/RMA等环节的电性失效分析，定位失效原因与失效电路，输出分析报告并推动Fab与设计团队进行改善； 2. 新Pattern验证分析：主导New CP Pattern的失效模式验证，评估失效特征与影响，为工艺和产品优化提供依据； 3. 分析方法与设备开发：开发新的电性失效分析方法，推动分析设备的导入与优化，提升失效定位效率与精度。

1. 主导DRAM芯片及封装产品的电性失效分析，制定逻辑完善的失效分析方案，输出系统性分析报告； 2. 基于ADVANTEST机台Memory测试功能，制定并优化测试方案，深入分析测试数据定位故障模式； 3. 执行静态与动态电性失效分析，依据故障模式通过电性分析与验证，精确定位可能的故障物理位置； 4. 通过电路布局追踪与分析，建立失效隔离位置与故障模式之间的关联性，驱动设计或制程改善； 5. 与设计、制造、测试、品保等部门协同，推动产品质量提升，对内外部人员开展电性分析技术培训。