长鑫存储电性失效分析研发工程师 -Electrical Failure Analysis R&D Engineer(J13205)

1.负责动态存储器芯片及封装的电性失效分析，数据整理归纳，根据测试，设计，版图合理定位失效点 2.提供逻辑完善的电性失效分析报告，并送样品去其他相关部门进行物理失效分析 3.及时、高效的完成组长或经理交予的相关工作任务 4.实验室5S维护，失效分析实验室的能力建设；新失效机台和分析手法的评估及引入 5.对内外部相关人员的培训6.跨部门沟通和交流

1. 电性失效分析执行：主导CP/FT/RMA等环节的电性失效分析，定位失效原因与失效电路，输出分析报告并推动Fab与设计团队进行改善； 2. 新Pattern验证分析：主导New CP Pattern的失效模式验证，评估失效特征与影响，为工艺和产品优化提供依据； 3. 分析方法与设备开发：开发新的电性失效分析方法，推动分析设备的导入与优化，提升失效定位效率与精度。

1. 主导晶圆级（Wafer-Level）及封装前后芯片的电性失效分析（EFA），快速定位功能失效、漏电、时序违例、电源/地短路等异常； 2. 基于电路原理和芯片设计信息（如网表、版图、关键路径），制定有效的电性激励与测试方案，复现并隔离失效点； 3. 与设计、制造、测试、PFA团队紧密协作，推动从电性定位到物理验证的完整分析闭环； 4. 建立并优化晶圆级EFA标准流程，提升分析效率与首次定位成功率。

1.新产品开发、验证、量产的电性分析工作，与客户联合解决产品验证失效问题并提出优化方案； 2.对厂内和对客户的沟通和问题协同，解决生产及研发过程中的失效问题； 3.利用电性失效分析设备解析失效类型并定位失效位置； 4.负责出具电性分析报告并追踪物性失效结果； 5.负责结合物性结果报告解释电性失效类型。