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长鑫存储DRAM新型产品系统互联预研(J17329)

校招全职电路设计类地点:合肥状态:招聘

任职要求


学历要求:硕士及以上,博士优先
专业要求:电子工程、通信工程、微波与电磁场、微电子等相关专业
其他要求:
1.专业背景:
-精通高速数字、模拟电路设计,熟悉SerDes架构、均衡技术(FFE、CTLE、DFE)及信号调理算法
-在信号完整性(SI)、电源完整性(PI)或光电混合互连领域有研究积累,掌握多物理场协同分析方法
2.工具与技能:
-熟练使用HFSS、SIwave、PowerSI、CadenceAllegro、ADS等工具,具备Python、Matlab自动化仿真脚本开发能力
-熟悉先进封装技术(…
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工作职责


1.系统级互联架构设计:
-主导DRAM与计算单元(CPU/GPU/AI加速器)的协同设计,开发超高速互联方案。
-构建从芯片封装(CoWoS/InFO)到PCB/连接器的全链路互联模型,实现系统级带宽密度提升3倍以上。
2.先进封装与互连技术:
-探索硅光互连(OpticalI/O)在DRAM系统中的应用。
-主导3D异构集成(Chiplet)的互连标准落地。
3.多物理场协同仿真:
-开发电磁-热-力耦合仿真平台,优化高速连接器。
-利用机器学习预测信号串扰与时序偏差,实现互联设计左移(Shift-Left)验证,缩短设计周期。
包括英文材料
学历+
算法+
Python+
还有更多 •••
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校招电路设计类

1.前沿技术预研: -主导3DDRAM(垂直堆叠电容)、FeRAM混合架构等颠覆性技术的原型设计与仿真验证,突破1αnm以下制程的物理极限。 -开发存算一体(PIM)架构下的DRAM单元设计,实现内存内AI运算加速,能效比提升。 2.跨学科协同创新: -探索新型材料(如铁电材料HZO、二维半导体)在DRAM单元中的应用,构建从器件物理到系统级可靠性的全链路模型。 3.设计-制造协同攻关: -推动DTCO(设计-技术协同优化)在先进DRAM制程中的落地。 4.技术标准与专利布局: -参与JEDEC等国际标准组织的新协议制定,主导高速接口的电气规范与测试方法论提案。 -构建核心技术专利池,年均提交5+项高价值发明专利。

更新于 2025-11-14合肥|北京|上海
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校招电路设计类

1.前瞻性测试系统开发: -构建面向未来DRAM产品的智能测试平台,攻克超高速接口测试、3D堆叠结构(TSV)多物理场耦合分析等难题。 -研发AI驱动的动态测试策略引擎,实现测试用例自动化生成与覆盖率实时优化,测试效率提升。 2.缺陷预测与根因溯源: -开发基于深度学习的缺陷预测模型,提前识别潜在失效模式。 -构建多维度测试数据湖,融合电性参数、工艺波动与可靠性数据,实现缺陷根因的毫秒级定位。 3.测试流程创新: -主导AI与传统测试设备的深度集成,推动测试向量自主优化与自适应校准。 -开发面向存算一体(PIM)架构的功能-性能联合测试框架,突破近存计算场景下的验证瓶颈。 4.跨领域协同与标准制定: -联动设计团队建立测试约束左移机制,在架构设计阶段介入风险验证。 -参与JEDEC/IEEE测试标准制定,主导超低电压(VLP)测试方法论与车规级DRAM(AEC-Q100)可靠性验证规范提案。

更新于 2025-11-14合肥|上海
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校招电路设计类

1.系统级设计验证架构: -主导未来DRAM产品的全流程验证方案,覆盖从RTL级到硅后测试的电气特性、时序一致性及功能正确性验证。 -开发基于AI的智能验证框架。 2.多物理场耦合仿真与验证: -构建电磁-热-力多物理场联合仿真平台。 -针对硅光互连(等新型接口,开发混合电-光信号验证模型。 3.预研技术风险验证: -对颠覆性技术(如FeRAM混合架构、存算一体单元)进行硅前验证,建立从器件模型到系统行为的全链路验证流程。 -利用形式化验证提前识别设计规范冲突,减少流片后设计迭代次数。 4.跨领域协同与标准推动: -联动设计、封装及测试团队建立验证左移(Shift-Left)机制,在架构设计阶段植入可验证性约束(DFV)。 -参与JEDEC/IEEE标准制定,主导高速接口协议的兼容性验证方法论提案。

更新于 2025-11-14合肥|北京|上海
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社招5年以上研发技术类

1.从事 DRAM工艺制程研发工作。主要以实现关键技术节点器件电学性能为目的,对各种先进单点工艺制程进行极高要求的整合, 使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉array架构设计以及integration实现方案, 电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新, 以达成高水平的电学性能和可靠性能的pathfinding技术; 2.能独立建立至少一个loop的process,实现MTS on target,把控 process development整体timeline,并注重handle lot的细节,早期预防任何contamination 案件的发生,精确并及时分析experiment lot的inline以及电性数据; 3.具备对新型DRAM做系统性调研的能力,其中包括新型阵列存储架构,器件结构,晶体管/电容器材料,以及关键工艺和工艺集成的信息调研; 4.新架构mask tapeout,对TEG设计,外围电路设计,工艺及器件仿真有一定程度的了解,能够与相关领域的专家对接并开展工作,了解Design rule,并具有独立tapeout mask的能力。

更新于 2025-09-19合肥