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长鑫存储DRAM新型产品系统互联预研(J17329)

校招全职电路设计类地点:合肥状态:招聘

任职要求


学历要求:硕士及以上,博士优先
专业要求:电子工程、通信工程、微波与电磁场、微电子等相关专业
其他要求:
1.专业背景:
-精通高速数字、模拟电路设计,熟悉SerDes架构、均衡技术(FFE、CTLE、DFE)及信号调理算法
-在信号完整性(SI)、电源完整性(PI)或光电混合互连领域有研究积累,掌握多物理场协同分析方法
2.工具与技能:
-熟练使用HFSS、SIwave、PowerSI、CadenceAllegro、ADS等工具,具备Python、Matlab自动化仿真脚本开发能力
-熟悉先进封装技术(…
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工作职责


1.系统级互联架构设计:
-主导DRAM与计算单元(CPU/GPU/AI加速器)的协同设计,开发超高速互联方案。
-构建从芯片封装(CoWoS/InFO)到PCB/连接器的全链路互联模型,实现系统级带宽密度提升3倍以上。
2.先进封装与互连技术:
-探索硅光互连(OpticalI/O)在DRAM系统中的应用。
-主导3D异构集成(Chiplet)的互连标准落地。
3.多物理场协同仿真:
-开发电磁-热-力耦合仿真平台,优化高速连接器。
-利用机器学习预测信号串扰与时序偏差,实现互联设计左移(Shift-Left)验证,缩短设计周期。
包括英文材料
学历+
算法+
Python+
还有更多 •••
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校招电路设计类

1.前沿技术预研: -主导3DDRAM(垂直堆叠电容)、FeRAM混合架构等颠覆性技术的原型设计与仿真验证,突破1αnm以下制程的物理极限。 -开发存算一体(PIM)架构下的DRAM单元设计,实现内存内AI运算加速,能效比提升。 2.跨学科协同创新: -探索新型材料(如铁电材料HZO、二维半导体)在DRAM单元中的应用,构建从器件物理到系统级可靠性的全链路模型。 3.设计-制造协同攻关: -推动DTCO(设计-技术协同优化)在先进DRAM制程中的落地。 4.技术标准与专利布局: -参与JEDEC等国际标准组织的新协议制定,主导高速接口的电气规范与测试方法论提案。 -构建核心技术专利池,年均提交5+项高价值发明专利。

更新于 2025-11-14合肥|北京|上海
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社招5年以上CSIG技术

1.负责内存内存颗粒技术选型,设计DRAM颗粒测试方案和颗粒准入标准; 2.负责内存测试方案的设计、开发和优化,确保内存产品的质量和性能; 3.负责介质级失效分析,开发定制化测试pattern,协助解决内存设计和生产中的质量问题; 4.制定和改进内存测试标准和流程,提高测试效率和质量; 5.跟踪最新的内存测试技术和工具,持续提升测试团队的技术水平。

更新于 2025-12-19深圳
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社招5年以上A216035A

1、负责公司芯片项目的前端/后端验证,主要关注SoC和系统验证、场景分析、验证策略制定、软硬件协同验证; 2、负责拉通软件、工具链、设计与验证的协同工作。

更新于 2025-03-13西安
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社招3年以上A231842

1、负责大规模SOC芯片的ESL平台开发; 2、负责基于ESL性能模型的仿真及性能分析; 3、负责基于ESL性能模型的芯片架构探索及架构方案的验证。

更新于 2023-12-14深圳