长鑫存储DRAM新型产品系统互联预研(J17329)
任职要求
学历要求：硕士及以上，博士优先 专业要求：电子工程、通信工程、微波与电磁场、微电子等相关专业 其他要求： 1.专业背景： -精通高速数字、模拟电路设计，熟悉SerDes架构、均衡技术（FFE、CTLE、DFE）及信号调理算法 -在信号完整性（SI）、电源完整性（PI）或光电混合互连领域有研究积累，掌握多物理场协同分析方法 2.工具与技能： -熟练使用HFSS、SIwave、PowerSI、CadenceAllegro、ADS等工具，具备Python、Matlab自动化仿真脚本开发能力 -熟悉先进封装技术（如TSV、RDL、HybridBonding）或硅光器件设计者优先 3.项目经验： -主导过56Gbps及以上高速互联系统设计，或参与过Chiplet互连、硅光互连等前沿项目 -在IEEETransactionsonEMC、DesignCon等顶级期刊、会议发表过互联相关论文者优先 4.综合素质： 具备系统级思维，能平衡芯片-封装-板级-系统的综合性能指标（PPA） 对技术趋势敏感（如Chiplet标准化、共封装光学），能快速提出颠覆性解决方案 优秀的跨团队协作能力，可同步对接IC设计、封装工艺与系统集成团队
工作职责
1.系统级互联架构设计： -主导DRAM与计算单元（CPU/GPU/AI加速器）的协同设计，开发超高速互联方案。 -构建从芯片封装（CoWoS/InFO）到PCB/连接器的全链路互联模型，实现系统级带宽密度提升3倍以上。 2.先进封装与互连技术： -探索硅光互连（OpticalI/O）在DRAM系统中的应用。 -主导3D异构集成（Chiplet）的互连标准落地。 3.多物理场协同仿真： -开发电磁-热-力耦合仿真平台，优化高速连接器。 -利用机器学习预测信号串扰与时序偏差，实现互联设计左移（Shift-Left）验证，缩短设计周期。
1.前瞻性测试系统开发： -构建面向未来DRAM产品的智能测试平台，攻克超高速接口测试、3D堆叠结构（TSV）多物理场耦合分析等难题。 -研发AI驱动的动态测试策略引擎，实现测试用例自动化生成与覆盖率实时优化，测试效率提升。 2.缺陷预测与根因溯源： -开发基于深度学习的缺陷预测模型，提前识别潜在失效模式。 -构建多维度测试数据湖，融合电性参数、工艺波动与可靠性数据，实现缺陷根因的毫秒级定位。 3.测试流程创新： -主导AI与传统测试设备的深度集成，推动测试向量自主优化与自适应校准。 -开发面向存算一体（PIM）架构的功能-性能联合测试框架，突破近存计算场景下的验证瓶颈。 4.跨领域协同与标准制定： -联动设计团队建立测试约束左移机制，在架构设计阶段介入风险验证。 -参与JEDEC/IEEE测试标准制定，主导超低电压（VLP）测试方法论与车规级DRAM（AEC-Q100）可靠性验证规范提案。
1.从事 DRAM工艺制程研发工作。主要以实现关键技术节点器件电学性能为目的，对各种先进单点工艺制程进行极高要求的整合, 使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉array架构设计以及integration实现方案, 电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新, 以达成高水平的电学性能和可靠性能的pathfinding技术； 2.能独立建立至少一个loop的process，实现MTS on target，把控 process development整体timeline，并注重handle lot的细节，早期预防任何contamination 案件的发生，精确并及时分析experiment lot的inline以及电性数据； 3.具备对新型DRAM做系统性调研的能力，其中包括新型阵列存储架构，器件结构，晶体管/电容器材料，以及关键工艺和工艺集成的信息调研； 4.新架构mask tapeout，对TEG设计，外围电路设计，工艺及器件仿真有一定程度的了解，能够与相关领域的专家对接并开展工作，了解Design rule，并具有独立tapeout mask的能力。
1. 从事先进DRAM工艺制程研发工作。主要以实现关键技术节点器件电学性能为目的，对各种先进单点工艺制程进行极高要求的整合, 使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门,电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新, 以达成高水平的电学性能和可靠性能的终端产品要求； 2. 对相关工艺改良, 提升芯片良率。 在深入了解和掌握各种器件电学参数, 产品参数的基础上, 对与各种由产品设计, 制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究， 并以此为基础通过多种数据分析, 建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计, 制程研发, 良率从零到一，从一到一百的极限理想目标的靠近； 3. 新产品及新工艺导入。通过系统性了解新产品及工艺的整个流程，从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入, 同时在此过程中负责工艺整合的优化升级, 达到提升电学性能, 可靠性能以及良率的要求； 4. 具备对新型DRAM做系统性调研的能力，其中包括新型阵列存储架构，器件结构，晶体管/电容器材料，以及关键工艺和工艺集成的信息调研。对TEG设计，外围电路设计，工艺及器件仿真有一定程度的了解，具备与相关领域的专家对接并开展工作。
1.负责内存产品的项目技术管理，设计流程及交付件管理，产品质量管控; 2.负责产品的定义、产品feature的设计; 3.负责DIMM产品竞争力目标的评估和定义; 4.负责对接soc及customer相关module技术问题; 5.解决Module关键问题，与module PM一起确保产品高效交付;