长江存储工艺整合研发工程师(J13375)
任职要求
学历要求：硕士及以上学历 专业要求：微电子/电子信息类/物理/材料/化学/光电等理工科专业 其它要求： 1.对半导体基础工艺和器件有一定了解，吃苦耐劳，能适应半导体研发工作模式 2.熟练使用Office办公软件，尤其是Excel 3.良好的英语听说读写能力（CET4及以上，CET6优先考虑） 4.具有较好的研发能力及思维，第一作者期刊论文1篇 5.较强的沟通表达能力、组织协调能力和团队合作精神 6.较强的逻辑思维能力、学习能力、创新能力、分析解决问题能力及抗压能力 7.积极主动，稳重踏实，工作严谨，责任心强，能接受阶段性高强度的研发任务
工作职责
1.熟悉半导体研发工艺和产品流片过程 2.采用统计制程管理方法，提高电学参数及在线监控参数的综合制程能力(CP&CPK) 3.依据研发需求，制定、创新工艺制程方案，发现并解决在线工艺问题，协调各个部门提出解决方案，根据结果及时更新到研发流程中，确保产品的进程 4.能够处理在线实验产品, 及时应对突发状况，针对测试流片的结果对工艺过程、线上参数、电性、可靠性、良率写总结报告 5.熟悉NAND、NOR、CMOS器件原理，理解版图设计规格，设计测试图形，定期分析WAT参数、良率、可靠性，制定改善措施以优化研发工艺过程，提高产品良率 6.实施产品流片，制定管控计划，数据收集，问题改善等 7.总结产品研发过程中的经验教训，形成经验总结，反馈到下一代产品研发进程中1.熟悉半导体研发工艺和产品流片过程 2.采用统计制程管理方法，提高电学参数及在线监控参数的综合制程能力(CP&CPK) 3.依据研发需求，制定、创新工艺制程方案，发现并解决在线工艺问题，协调各个部门提出解决方案，根据结果及时更新到研发流程中，确保产品的进程 4.能够处理在线实验产品, 及时应对突发状况，针对测试流片的结果对工艺过程、线上参数、电性、可靠性、良率写总结报告 5.熟悉NAND、NOR、CMOS器件原理，理解版图设计规格，设计测试图形，定期分析WAT参数、良率、可靠性，制定改善措施以优化研发工艺过程，提高产品良率 6.实施产品流片，制定管控计划，数据收集，问题改善等 7.总结产品研发过程中的经验教训，形成经验总结，反馈到下一代产品研发进程中
1.Be responsible for the design and development of the device architecture of 3D NAND Flash, and deeply participate in the whole process from concept design to mass production. Utilize professional knowledge to carry out innovation at the architecture level, optimize the structure of memory cells, and improve storage density, performance and reliability. 2.Collaborate with the circuit design team to complete the efficient transformation from device physical characteristics to circuit logic, ensuring the compatibility and performance of the overall system. And increase the read and write speed and reduce power consumption. 3.Lead the research and application of new technologies, explore cutting-edge fields such as new materials and manufacturing processes, and provide technical support for the performance breakthrough of 3D NAND Flash. Through the research on industry trends, promote technological innovation and enhance product competitiveness. 4.Conduct in-depth analysis of the problems in the R&D process by using the knowledge of device physics and semiconductor processes, and put forward effective solutions. Use data analysis and modeling techniques to optimize device performance and ensure that products meet high-quality standards. 5.Lead/Participate in test chip tapeout for new memory technology development and product chip tapeout for production introduction 6.Interact with process module, material, simulation, device characterization and reliability group to optimize process flow, improve memory cell device performance and develop innovative solution to meet product requirement and qualification criteria 7. Drive cross-functional team including process module, device, product engineering, design, YE, YAE, TO, and Test to address process/technology gap and yield/margin issues
1. 负责新产品的导入； 2. 参与新产线的建立，以及产品的良率验证； 3. 参与与新产品相关的良率和产品性能的提升工作； 4. 针对新设备和材料进行工艺步骤的改良和工艺规格的重新设定； 5. 通过工艺流程优化调整,提高制程稳定性。
1.从事DRAM工艺制程研发工作,主要负责对上千种不同制程进行极高要求的整合，使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门，电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新，以实现高水平的电学性能，可靠性能的终端产品要求。 2.对相关工艺改良，提升芯片良率。在深入了解和掌握各种电学参数，产品参数的基础上，对与各种由产品设计，制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究，并以此为基础通过多种数据分析，建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计，制程研发，良率从零到一， 从一到一百的极限理想目标的靠近。 3.新产品及新工艺导入。 通过系统性了解新产品以工艺的整个流程， 从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入，同时在此过程中负责工艺整合的优化升级，达到提升电学性能，可靠性能以及良率的要求。
1.从事DRAM工艺制程研发工作,主要负责对上千种不同制程进行极高要求的整合，使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门，电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新，以实现高水平的电学性能，可靠性能的终端产品要求。 2.对相关工艺改良，提升芯片良率。在深入了解和掌握各种电学参数，产品参数的基础上，对与各种由产品设计，制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究，并以此为基础通过多种数据分析，建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计，制程研发，良率从零到一， 从一到一百的极限理想目标的靠近。 3.新产品及新工艺导入。 通过系统性了解新产品以工艺的整个流程， 从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入，同时在此过程中负责工艺整合的优化升级，达到提升电学性能，可靠性能以及良率的要求。