长鑫存储BJ Site 公共事务负责人-BJ Site PA Head(J17634)
任职要求
1. 教育背景与专业知识：本科及以上学历，理工科专业或拥有技术背景者优先，写作能力较强者优先；
2. 行业与专业经验：8年以上工作经验，5年以上公共事务相关领域工作或管理经验，具备丰富的公共事务管理经验，…工作职责
1. 属地公共关系维护：负责维护长鑫在京属地的公共关系，策划并执行相关各项工作，建立良好的政企合作基础； 2. 中央国家机关关系维护：负责维护长鑫同国家部委等中央国家机关关系，推动政府事务的顺畅对接； 3. 政府政策与资质对接：负责长鑫在京（含中央部委）各项政府政策、资质、荣誉的申报与对接工作，确保公司获得政策支持； 4. 政策趋势预判与风险管理：及时获取最新政策信息，预判政策发展趋势，结合公司业务规划发现机会并管控风险； 5. 来访接待与公务活动统筹：统筹协调各级政府领导邀请、政府及商业来访接待与审批工作，代表公司参与相关公务活动； 6. 团队建设与赋能：负责在京团队建设，赋能和引领团队成员，提升团队整体专业能力。
1.从事DRAM工艺制程工作，负责相关工艺机台的维护 2.调整优化工艺参数，提升芯片良率，降低成本/增加产能等要求 3.生产现场异常分析，提供解决方案并跟踪改善效果 4.编写/修订/完善/贯彻作业指导书 5.新产品及新工艺导入
1.负责新产品试产，问题追踪并改善，推动产能提升 2.产品制程相关问题分析及改善，包括inline量测、缺陷、电性和良率异常、提升产品品质 3.制程流程优化调整，产品数据分析，包括CP/FT测试数据，电气参数，WAT，或工艺量测数据等，进而找到工艺优化的机会跟方向，提高制程稳定性 4.对相关工艺改良，提升芯片良率 5.了解工艺流程，器件电性特征和良率测试表征，进行相关故障分析和修复
1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发 2.DRAM核心区器件设计及优化 3.制程工艺TCAD仿真 4.HKMG器件工艺开发 5.先进DRAM可靠性评估与改进
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式