长鑫存储工艺整合(BJ)(J19645)
任职要求
学历要求：本科及以上
专业要求：微电子、物理、材料、化学、数学、统计等理工科专业
其它要求：
1.通过CET-4，具备良好的英文听说读写能力
2.有半导体存储相关…工作职责
1.负责新产品试产，问题追踪并改善，推动产能提升 2.产品制程相关问题分析及改善，包括inline量测、缺陷、电性和良率异常、提升产品品质 3.制程流程优化调整，产品数据分析，包括CP/FT测试数据，电气参数，WAT，或工艺量测数据等，进而找到工艺优化的机会跟方向，提高制程稳定性 4.对相关工艺改良，提升芯片良率 5.了解工艺流程，器件电性特征和良率测试表征，进行相关故障分析和修复
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1. 教育背景与专业知识：本科及以上学历，电子类、光学类、集成电路类等理工科背景优先； 2. 专业技能与资格：能使用光刻相关设备与量测工具完成工艺参数调整与实验验证，能独立分析工艺数据并输出技术报告； 3. 行业与专业经验：具有2年以上半导体光刻工艺工作经验，有光刻工艺研发经验者优先； 4. 项目/任务成果：参与过至少一项光刻工艺开发或优化项目，并形成可验证的工艺方案； 5. 其他要求：具有清晰的逻辑分析与主动推进意识，能在多部门协同中主动沟通并推动技术问题闭环。
1.带领团队进行工艺制程研发工作, 确定开发方向； 2.组织协调跨部门合作，和产品设计、器件、工艺部门共同合作，建立切实可行的良率提高、性能改善路线图； 3.新工艺导入，从制程整合的角度领导整个从无到有的研发工作。
1. 晶圆工艺开发与转移： 主导晶圆工艺的协助开发与工艺转移，确保技术方案顺利落地；2. 量产工艺维护与保障： 主导晶圆工艺的量产维护，监控工艺稳定性，及时处理量产过程中出现的问题；3. 外包晶圆供应商技术与质量管理： 负责外包晶圆供应商的技术或质量管理，推动供应商持续改进，维护良好的合作关系；4. 研发到量产技术转移： 作为公司内部PIE，主导技术从研发阶段向外包工厂的量产转移，并对外包工厂实施有效管理。