长鑫存储CMOS器件研发工程师 l CMOS Device Engineer(J17033)

任职要求

1.硕士及以上学历，微电子、电子工程、材料科学、物理等相关专业。
2.5年以上半导体器件研发工程经验，有先进DRAM/Logic 成功研发/量产经验者优先。
3.深入理解半导体器件物理、制造工艺全流程及各模块（光刻、蚀刻、薄膜、扩散、离子注入、CMP）的相互作用。
4.精通半导体电性测试原理、熟悉与理解产品测试原理，DRAM相关电路功能与设计。
5.熟练掌握 SPC, DOE, FMEA, RCA 等工程方法，具备极强的数据分析和问题解决能力。
6.优秀的项目管理和跨部门沟通协调能力。
7.流利的英文读写能力，能进行国际技术交流。"

工作职责

1、负责特定技术节点或特定产品的CMOS device 性能优化工作，达成产品性能、良率及可靠性目标。
2、针对电性失效（Electrical Failure）和良率损失（Yield Loss），定位问题根源（Root Cause），通过工艺优化或测试调整解决问题。
3、设计并执行整合层级的实验（DOE），优化整体CMOS 制程条件。
4、与产品工程师（Product Engineer）、良率工程师（Yield Engineer）、设计部门（Design）紧密合作，进行产品性能调试（Debug）和良率提升（Yield Improvement）。"