长鑫存储器件研发工程师 | TD Device Engineer(J14370)

1.分析CMOS器件WAT结果，根据in-line数据分析原因； 2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标； 3.与产品设计部门合作，对关键器件参数进行优化； 4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。

1.分析Array器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件所存在的问题和物理机制，促使器件参数达标； 2.结合WAT、inline和CP数据，从电性角度分析良率提升的方向； 3.与工艺工程师和整合工程师合作，改善工艺条件和器件结构参数，促使器件特性和良率提升； 4.进行器件改善和良率改善lot的试验，并对电性等结果进行分析； 5.根据产品设计需求和工艺能力，制定器件电学目标和结构物理参数目标。

1.负责研发阶段工艺可靠性的研究及标准的制定； 2.结合PIE/UPD/CMOS/Design，准确诊断、定位以及解决各类工艺可靠性问题，并给出优化方向及措施； 3.总结/分析可靠性结果，结合器件参数退化趋势，准确建立及运用加速失效模型来预测产品的可靠性寿命； 4.同design一起，Control研发阶段Design for Reliability可靠性，提升相关电路的可靠性设计； 5.负责器件测试、数据分析与处理、编写测试报告、设计SOA评估及制定

1.负责研发阶段工艺可靠性的研究及标准的制定； 2.结合PIE/UPD/CMOS/Design，准确诊断、定位以及解决各类工艺可靠性问题，并给出优化方向及措施； 3.总结/分析可靠性结果，结合器件参数退化趋势，准确建立及运用加速失效模型来预测产品的可靠性寿命； 4.同design一起，Control研发阶段Design for Reliability可靠性，提升相关电路的可靠性设计； 5.负责器件测试、数据分析与处理、编写测试报告、设计SOA评估及制定。