长鑫存储良率提升研发工程师 | TD YE Engineer(J10617)

1.分析Array器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件所存在的问题和物理机制，促使器件参数达标； 2.结合WAT、inline和CP数据，从电性角度分析良率提升的方向； 3.与工艺工程师和整合工程师合作，改善工艺条件和器件结构参数，促使器件特性和良率提升； 4.进行器件改善和良率改善lot的试验，并对电性等结果进行分析； 5.根据产品设计需求和工艺能力，制定器件电学目标和结构物理参数目标。

1. 为各部门工艺研发工程师在工艺能力开发／成本降低／产能良率提升等各方面的日常工作项目提供支持和协助， 保障研发进度按时按质交付； 2. 按照标准流程，对线上研发产品发生的各种异常情况进行实时响应和处置； 3. 7*24小时轮值(四班二轮制)。

1.从事DRAM工艺制程研发工作,主要负责对上千种不同制程进行极高要求的整合，使之成为支撑各种DRAM产品的工艺技术平台。其中大部分的工作内容涉及到与产品设计部门，电学表征部门以及具体的制程研发工程师共同进行技术创新，以实现高水平的电学性能，可靠性能的终端产品要求。 2.对相关工艺改良，提升芯片良率。在深入了解和掌握各种电学参数，产品参数的基础上，对与各种由产品设计，制程控制引起的良率不良现象进行系统性的分析研究，并以此为基础通过多种数据分析，建立切实可行的良率提升路线图，推动DRAM从产品设计，制程研发，良率从零到一， 从一到一百的极限理想目标的靠近。 3.新产品及新工艺导入。 通过系统性了解新产品以工艺的整个流程， 从制程整合的角度领导整个产品和工艺从研发部门到生产部门的导入，同时在此过程中负责工艺整合的优化升级，达到提升电学性能，可靠性能以及良率的要求。

1. 参与新产品的研发,工艺量测的制定和管理, 执行制程量测方案； 2. 配合新工艺开发需要，评估，导入新设备； 3. 量测方案的改善以及优化,确保产线数据的真实,服务于产品工艺改善与良率提升； 4. 量测数据以及SPC相关异常事件及时侦测，寻找root cause, 并推动PE/PIE进行改善； 5. 运用统计学方法数据分析，优化量测数据分析系统,强化数据关联性,推动其智能化。