长鑫存储产品良率提升研发专家-TD Product YE Expert(J19382)

1.良率问题的分类并挖掘问题源头的验证方向； 2.分析重要实验的改善成果； 3.追踪研发线的良率改善措施的实际成效，建构良率提升蓝图； 4.意外事件的源头挖掘;，尽早停止事件的冲击范围； 5.协助定义良率测试项目 , 并维护分析系统。

1. 新产品FT导入：主导研发新Memory产品FT测试导入，制定测试方案并完成首批验证；确保FT测试通过的颗粒其在客户端的品质 。 2. 性能测试与验证：主导研发新产品的FT array测试和speed性能测试，输出测试数据与性能评估； 3. 良率监控与数据分析：主导研发阶段的FT良率监控，通过数据分析定位不良样品的电性特征，推动良率改善闭环； 4. 测试覆盖率提升：主导研发阶段产品FT测试覆盖率的评估与提升，优化测试方案确保覆盖完整；降低终端失效PPM ratio； 5. 测试程式维护：主导研发新产品的FT测试程式维护与迭代，确保测试稳定性； 6. FT程序优化：持续改进测试效率，包括流程优化，测试时间减少 TTR (Test Time Reduction)。

1.研发新产品FT导入； 2.研发新产品的FT array测试和speed性能测试； 3.研发阶段的FT良率监控，数据分析，不良样品的电性分析和良率改善； 4.研发阶段的产品FT测试覆盖率的提升； 5.研发新产品的FT测试程式维护。

1. 测试架构开发：主导DRAM芯片测试架构的设计与构建，开发先进的测试方法，建立完善的产品测试体系，支撑高覆盖度的芯片测试验证； 2. 良率分析与失效定位：利用数据挖掘技术对CP测试结果进行良率分析与失效分析，识别根本原因，推动制程及设计改善，实现产品良率持续提升； 3. 测试程序优化与效率提升：主导CP测试程序的优化，通过流程改进与测试时间缩减，持续提升测试效率并降低测试成本； 4. 制程变更风险评估：评估Fab制程变更对产品良率与可靠性的潜在影响，主导DRB/MRB风险评估及批次处置方案制定。