长鑫存储缺陷分析设备工程师 I Defect Control EQ Engineer(J12228)

负责氮化硅薄膜沉积(LP CVD & ALD)工艺的调试及优化，解决工艺缺陷，参与新设备的评估、选型及验收 监控量产中氮化硅工艺的稳定性，分析数据并制定改进措施 协同整合工程师解决跨部门问题

1、负责新型薄膜材料及工艺的研发，优化薄膜沉积（如CVD、PVD、ALD等）工艺参数，提升器件性能及良率；设计并执行DOE实验，分析工艺窗口，推动薄膜工艺的持续改进； 2、对薄膜材料特性（如厚度、应力、均匀性）、缺陷数据及电性测试结果进行深度分析，识别关键影响因素；主导薄膜相关异常问题的根因分析，制定解决方案并验证； 3、与器件设计、整合、制造等部门紧密合作，确保薄膜工艺满足产品性能需求；支持新工艺从研发到量产的转移，协助解决量产过程中的工艺问题； 4、跟踪薄膜技术领域前沿进展，评估新工艺、新材料的可行性； 5、熟悉薄膜设备硬件架构，参与设备选型及调试，提升工艺稳定性；

1、主导半导体芯片全流程工艺整合，识别关键制程瓶颈，优化工艺参数以提升产品良率及稳定性。 2、通过DOE实验设计、SPC数据分析及失效分析（FA）定位缺陷根因，推动跨部门（PE/EE/QC）协同改善。 3、制定量产工艺窗口并确保工艺稳定性。 4、联动设备、制造、质量部门，建立标准化工艺流程（SOP/OI）及监控体系（FDC/APC）。 5、参与先进技术节点开发，探索新工艺整合方案。

1. 参与新产品的研发，工艺缺陷的定义和管理，设计开发先进制程检测方案； 2. 配合新工艺开发需要，评估、导入新设备； 3. 工艺缺陷检测方案优化及改进,确保产线缺陷数据的真实,服务于产品工艺改善与良率提升； 4. 工艺缺陷问题及时侦测, 寻找root cause，并推动PE/PIE共同进行改善； 5. 协调跨部门合作，与量产部门合作，转移新研发的缺陷检测技术，确保成功量产。