长鑫存储薄膜工艺研发工程师 I TD Thin Film Process Engineer(J17506)
任职要求
1、物理、光学、电子工程、化学工程、材料科学、数学等相关专业硕士及以上学历，1年以上工作经验；
2、熟悉DRAM/CMOS相关的电性及可靠性特性；
3、具有低电阻（Low Rs）金属材料研究及工艺开发经验；具备先进CMOS工艺开发经验（如HKMG高介电金属栅极技术）者优先；
4、良好的沟通与团队协作能力；擅长解决复杂问题，有领导跨职能专项任务组的经验；工作职责
1、负责新型薄膜材料及工艺的研发，优化薄膜沉积（如CVD、PVD、ALD等）工艺参数，提升器件性能及良率；设计并执行DOE实验，分析工艺窗口，推动薄膜工艺的持续改进； 2、对薄膜材料特性（如厚度、应力、均匀性）、缺陷数据及电性测试结果进行深度分析，识别关键影响因素；主导薄膜相关异常问题的根因分析，制定解决方案并验证； 3、与器件设计、整合、制造等部门紧密合作，确保薄膜工艺满足产品性能需求；支持新工艺从研发到量产的转移，协助解决量产过程中的工艺问题； 4、跟踪薄膜技术领域前沿进展，评估新工艺、新材料的可行性； 5、熟悉薄膜设备硬件架构，参与设备选型及调试，提升工艺稳定性；
1.理解封装薄膜工艺原理（PVD、CVD、ECP,diffusion,furance 等），解决工艺异常，维护并持续优化工艺稳定性 2.新技术导入、工艺参数及操作规范的建立及维护、大量生产制程控制 3.依据工艺整合的需求，对工艺中存在的课题进行攻关，拓展工艺窗口，提升产品良率及性能 4.引入和评估新材料、新机台、新功能，并降低工艺成本 5.熟练使用各种质量管理工具和数据分析软件
1.负责工艺技术委员会的流程优化，标准制定及会议组织等工作； 2.负责新引入设备的技术及工艺评估工作，制定出公平合理的评估流程及评估模板，监督相关部门公正合理的选择厂商，保证厂商选择的合理性及公正性； 3.负责追踪机台movein后的验证进展及会上AR的关闭情况，督促机台负责人按期完成机台验证工作及AR及时关闭； 4.协调跨部门合作，保证工艺委员会的工作稳步推进；
1. 与合作伙伴合作设计、优化反应腔室外部射频系统，如射频电源/匹配器/射频和等离子体诊断仪器等。 2. 对刻蚀、薄膜沉积等半导体设备的射频系统进行评估，对研发产品进行系统测试。 3. 与工艺人员、供应商进行等离子体诊断相关设备的开发、测试。 4. 设计实验、进行实验，与合作伙伴对射频设备、等离子体诊断部件进行改进，并提出技术解决方案。 5.项目管理相关信息/数据收集、分析、总结。 6. 与团队写作制定规范、数据记录、工作流程、标准操作等。
1. 负责半导体研发设备的安装、调试、维护与故障排除，确保设备稳定运行（CMP、TF、ETCH、Lihto、DF、WET设备）； 2. 制定设备维护计划，优化设备性能，提高生产效率； 3. 参与新设备的评估、验收及工艺适配工作； 4. 分析设备运行数据，提出改进方案，降低设备故障率； 5. 配合工艺工程师优化制程参数，提升良品率； 6. 编写设备操作规范、维护手册及相关技术文档； 7. 协助解决生产过程中出现的设备异常问题。