长鑫存储高k介质/金属栅极工艺研发专家-High-k/Metal Gate Process Expert(J20400)
社招全职8年以上研发技术类地点：合肥 | 北京状态：招聘♡ 收藏
工作描述
任职要求
1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、物理、材料或化学等相关专业，具备扎实的薄膜沉积与栅极工程理论功底；
2.专业技能与资格：能使用ALD、PVD、CVD等薄膜沉积设备完成工艺开发，能使用XPS、TEM、XRD等分析工具完成薄膜表征，具备流利的英语读写与报告撰写能力；
3.行业与专业经验：8年以上半导体薄膜工艺研发经验，其中至少4年高k介质或金属栅极工艺开发经验，熟悉栅极工艺对器件性能的影响机制，具备技术路线规划能力；
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包括英文材料
学历+
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