长鑫存储工艺工程研发(J17351)
任职要求
学历要求：硕士及以上，博士优先
专业要求：微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、微电子、计算机、力学等理工科专业
其它要求：
1.通过CET-4，具备良好的英文听说读写能力
2.富有探索精神，积极主动，追求卓越，善于以创新方式解决问题
3.具备出色的学习能力、沟通技巧、抗压能力、勤奋精神和团队合作意识工作职责
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/键合/扩散/离子注入/薄膜等 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/扩散/离子注入/薄膜等； 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求； 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路； 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等； 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期。
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发 2.DRAM核心区器件设计及优化 3.制程工艺TCAD仿真 4.HKMG器件工艺开发 5.先进DRAM可靠性评估与改进
1.负责 DRAM 产品研发全生命周期的 AI 应用研发，包括生产&机台大数据 AI 分析及AI Agent 系统搭建，提升研发质量与效率 2.开展 AI 辅助半导体工艺研发，基于 AI 技术优化工艺仿真模型；构建材料验证仿真模型，评估材料性质与电性的关联 3.研发半导体行业专用大模型，建设研发数智化知识底座，支撑多源异构数据的 AI 应用落地 4.承担半导体核心工艺仿真工作，涵盖多物理场 （力学，热场，流体，电磁场，等离子体等）仿真 / 第一性原理计算的原子模拟（界面反应，高分子材料设计等）/ DFT的化学反应（Bulk, surface, interface, molecule）模拟 / 材料基本特性模拟（缺陷，能带，介电常数等）和前驱体材料设计 / 工艺与电性TCAD仿真 5.为研发产能管理与生产率提升，结合机器学习/深度学习等数据分析与优化技术，优化产能管理模型，提升设备与产线生产率