长鑫存储工艺整合研发(J17357)
任职要求
学历要求：本科及以上，博士优先 专业要求：微电子、量子工程、凝聚态物理等前沿领域背景，或微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业 使命信仰：以颠覆性创新为信仰，以定义下一代存储技术范式为使命 其他要求： 1.富有探索精神，积极主动，追求卓越，善于以创新方式解决问题 2.拥有优秀的逻辑思维和良好的数据分析能力 3.具备较强的学习能力、沟通能力、吃苦耐劳精神和团队合作精神
工作职责
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/键合/扩散/离子注入/薄膜等 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期
1.负责研发工程分析系统的设计、数据处理、算法与功能开发，用数据科学的方法与工具，提高研发效率和缩短新产品研发周期 2.负责与设计/器件/工艺/整合/可靠性/缺陷与量测/IT等相关部门合作，进行工程数据分析系统的项目管理，完成需求梳理，产品设计与规划，推动系统开发与落地，产生业务价值 3.负责针对特定研发领域工程问题，进行数学建模，优化求解，统计建模，数据挖掘，数据分析，解决实际问题。然后进一步抽象出方法论，通过系统化，高效解决类似问题，加速研发 4.负责进行半导体图像数据处理，使用OpenCV等传统视觉工具，快速提取针对特定问题特征，实现高信噪比指标来表征工程问题，加速研发 5.负责探索和落地应用前沿的AI模型与算法，包括深度学习、机器学习方面，提升半导体制造领域的图像分类、检测与分割等方面的系统性能，提升工程分析效率与能力 6.负责探索和落地应用前沿的AI方法，提升时间序列数据的异常检测，异常诊断等系统性能，提升工程分析效率与能力
1.Be responsible for the design and development of the device architecture of 3D NAND Flash, and deeply participate in the whole process from concept design to mass production. Utilize professional knowledge to carry out innovation at the architecture level, optimize the structure of memory cells, and improve storage density, performance and reliability. 2.Collaborate with the circuit design team to complete the efficient transformation from device physical characteristics to circuit logic, ensuring the compatibility and performance of the overall system. And increase the read and write speed and reduce power consumption. 3.Lead the research and application of new technologies, explore cutting-edge fields such as new materials and manufacturing processes, and provide technical support for the performance breakthrough of 3D NAND Flash. Through the research on industry trends, promote technological innovation and enhance product competitiveness. 4.Conduct in-depth analysis of the problems in the R&D process by using the knowledge of device physics and semiconductor processes, and put forward effective solutions. Use data analysis and modeling techniques to optimize device performance and ensure that products meet high-quality standards. 5.Lead/Participate in test chip tapeout for new memory technology development and product chip tapeout for production introduction 6.Interact with process module, material, simulation, device characterization and reliability group to optimize process flow, improve memory cell device performance and develop innovative solution to meet product requirement and qualification criteria 7. Drive cross-functional team including process module, device, product engineering, design, YE, YAE, TO, and Test to address process/technology gap and yield/margin issues