长鑫存储TCAD研发工程师 | TD TCAD Engineer(J15485)
任职要求
1.具有微电子，物理或材料相关专业硕士研究生及以上学位； 2.具有半导体物理、器件物理的基础知识； 3.熟悉TCAD模拟软件； 4.有半导体公司相关工作经验优先； 5.较强的团队意识和快速反应能力； 6.熟悉Word/Excel/PPT/Linux/Unix。
工作职责
1.分析CMOS器件WAT结果，根据in-line数据分析原因； 2.独立操作bench机台进行IV,CV电性测试及分析 3.设计Testkey 对关键电路电学特征进行测量，确保电性能真实反应芯片的实际性能； 4.与工艺整合和工艺工程师合作，了解技术和解决器件现存的问题； 5.利用TCAD进行器件仿真。
基于半导体全工艺物理仿真技术，建立wafer数字孪生，以此为基础实现设计与工艺协同优化（DTCO），制程Flow优化，path finding等，并结合电性仿真验证元件特性及不良分析。 1、半导体工艺（光刻/刻蚀/化学机械研磨等）建模模拟，评估模型准确度与适用性； 2、通过工艺模拟实现设计与工艺协同优化设计，在版图出版阶段预测版图weak point； 3、通过工艺仿真找到工艺极限窗口，向Design及Layout 反馈并更新已有规则 4、仿真结构与TCAD 仿真结合。
1.负责研发阶段工艺可靠性的研究及标准的制定； 2.结合PIE/UPD/CMOS/Design，准确诊断、定位以及解决各类工艺可靠性问题，并给出优化方向及措施； 3.总结/分析可靠性结果，结合器件参数退化趋势，准确建立及运用加速失效模型来预测产品的可靠性寿命； 4.同design一起，Control研发阶段Design for Reliability可靠性，提升相关电路的可靠性设计； 5.负责器件测试、数据分析与处理、编写测试报告、设计SOA评估及制定。
1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发； 2.DRAM核心区器件设计及优化； 3.制程工艺TCAD仿真； 4.HKMG器件工艺开发； 5.DRAM可靠性评估与改进。
1.负责研发阶段工艺可靠性的研究及标准的制定； 2.结合PIE/UPD/CMOS/Design，准确诊断、定位以及解决各类工艺可靠性问题，并给出优化方向及措施； 3.总结/分析可靠性结果，结合器件参数退化趋势，准确建立及运用加速失效模型来预测产品的可靠性寿命； 4.同design一起，Control研发阶段Design for Reliability可靠性，提升相关电路的可靠性设计； 5.负责器件测试、数据分析与处理、编写测试报告、设计SOA评估及制定