长鑫存储半导体器件研发工程师（BJ RCG） | Device TD Engineer（BJ RCG）(J14352)

1.分析CMOS器件WAT结果，根据in-line数据分析原因； 2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标； 3.与产品设计部门合作，对关键器件参数进行优化； 4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。

1.分析CMOS器件WAT结果，根据in-line数据分析原因； 2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标； 3.与产品设计部门合作，对关键器件参数进行优化； 4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。

1.分析Array器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件所存在的问题和物理机制，促使器件参数达标； 2.结合WAT、inline和CP数据，从电性角度分析良率提升的方向； 3.与工艺工程师和整合工程师合作，改善工艺条件和器件结构参数，促使器件特性和良率提升； 4.进行器件改善和良率改善lot的试验，并对电性等结果进行分析； 5.根据产品设计需求和工艺能力，制定器件电学目标和结构物理参数目标。

1、负责特定技术节点或特定产品的CMOS device 性能优化工作，达成产品性能、良率及可靠性目标。 2、针对电性失效（Electrical Failure）和良率损失（Yield Loss），定位问题根源（Root Cause），通过工艺优化或测试调整解决问题。 3、设计并执行整合层级的实验（DOE），优化整体CMOS 制程条件。 4、与产品工程师（Product Engineer）、良率工程师（Yield Engineer）、设计部门（Design）紧密合作，进行产品性能调试（Debug）和良率提升（Yield Improvement）。"