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长鑫存储半导体器件研发工程师(BJ RCG) | Device TD Engineer(BJ RCG)(J14352)

社招全职研发技术类地点:北京状态:招聘

任职要求


学历要求:硕士及以上
专业要求:微电子/电子工程/电子信息/物理/光学/材料/化学/数学/机械/微电子/计算机等理工科专业
其它要求:
1.通过CET-…
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工作职责


1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发;
2.DRAM核心区器件设计及优化;
3.制程工艺TCAD仿真;
4.HKMG器件工艺开发;
5.DRAM可靠性评估与改进。
包括英文材料
学历+
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社招3年以上研发技术类

1.分析CMOS器件WAT结果,根据in-line数据分析原因; 2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标; 3.与产品设计部门合作,对关键器件参数进行优化; 4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。

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社招5年以上研发技术类

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更新于 2025-09-19合肥
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