长鑫存储HKMG工艺研发工程师/专家|TD HKMG Process Engineer/Expert(J14931)
1.进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求,提炼出对器件的关键尺寸要求,电性要求和可靠性要求;领导Device以及Module等研发部门通过技术创新,新机台引进,开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的件; 2.开发HKMG工艺的PDK(Design Rule, EDR, Device Model...)应用到NN,N+1,N+2代DRAM平台,同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容,最终实现高速低漏电的电学性能能,高可靠性的终端产品要求; 3.新产品导入以及良率提升。从与design合作开始参与新产品设计评估;与tapeout team合作设计testkey,tape out光罩;与制程和生产部门合作pilot run;不断进行工艺整合的优化升级,提升电学性能,可靠性能以及良率。
1、负责新型薄膜材料及工艺的研发,优化薄膜沉积(如CVD、PVD、ALD等)工艺参数,提升器件性能及良率;设计并执行DOE实验,分析工艺窗口,推动薄膜工艺的持续改进; 2、对薄膜材料特性(如厚度、应力、均匀性)、缺陷数据及电性测试结果进行深度分析,识别关键影响因素;主导薄膜相关异常问题的根因分析,制定解决方案并验证; 3、与器件设计、整合、制造等部门紧密合作,确保薄膜工艺满足产品性能需求;支持新工艺从研发到量产的转移,协助解决量产过程中的工艺问题; 4、跟踪薄膜技术领域前沿进展,评估新工艺、新材料的可行性; 5、熟悉薄膜设备硬件架构,参与设备选型及调试,提升工艺稳定性;
1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发; 2.DRAM核心区器件设计及优化; 3.制程工艺TCAD仿真; 4.HKMG器件工艺开发; 5.DRAM可靠性评估与改进。