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长鑫存储研发器件设计规则工程师-TD Device DR Engineer(J18399)

社招全职研发技术类地点:合肥状态:招聘

工作描述


任职要求
1.	研究生学历,硕士学位及以上,半导体相关专业优先。
2.	要求了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤,至少熟悉逻辑或者存储工艺中制程、器件、PDK任一部分,有相关研究方向者优先
3.	有finfet经验优先,有DFM经验优先,有DRC/LVS经验优先
4.	擅长与人沟通,能够有效处理跨部门间的合作与争议。
5.…
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包括英文材料
学历+
LVS+
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社招研发技术类

1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,半导体相关专业优先,了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤,至少熟悉逻辑或存储工艺中制程、器件、PDK任一部分,有相关研究方向者优先; 2. 专业技

更新于 2026-06-12合肥
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社招2年以上研发技术类

1.硕士及以上学历 ,微电子学及固体电子学、集成电路专业、物理及半导体物理、材料物理化学专业等; 2.熟悉版图软件操作,TCAD仿真、Hspice 仿真、COMSOL半导体仿真等半导体或CMOS或电路

更新于 2026-06-12合肥
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校招研发技术类

学历要求:硕士及以上,博士优先 专业要求:微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、微电子、计算机等理工科专业 其他要求: 1.通过CET-6,具备良好的英文听说读写能力

更新于 2026-06-12合肥
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社招3年以上研发技术类

1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子学、半导体器件、集成电路、材料科学等相关专业背景; 2. 专业技能与资格:具备JMP或SAS数据分析能力,能独立完成WAT及in-line数据关联分析,

更新于 2026-06-12北京