长鑫存储研发器件设计规则工程师-TD Device DR Engineer(J18399)

1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，半导体相关专业优先，了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤，至少熟悉逻辑或存储工艺中制程、器件、PDK任一部分，有相关研究方向者优先； 2. 专业技

1.硕士及以上学历 ，微电子学及固体电子学、集成电路专业、物理及半导体物理、材料物理化学专业等； 2.熟悉版图软件操作，TCAD仿真、Hspice 仿真、COMSOL半导体仿真等半导体或CMOS或电路

1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子学及固体电子学、集成电路、物理、应用物理、半导体物理、材料物理化学等专业； 2. 专业技能与资格：能使用版图软件，能使用TCAD仿真、Hspice仿真、

1.博士，微电子学及固体电子学、集成电路专业、物理/应用物理/及半导体物理、材料物理化学专业等； 2.熟悉版图软件操作，其他TCAD仿真、Hspice 仿真、COMSOL半导体仿真等半导体或CMOS或