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长鑫存储研发器件设计规则工程师-TD Device DR Engineer(J14270)

社招全职研发技术类地点:合肥状态:招聘♡ 收藏

工作描述


任职要求
1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,半导体相关专业优先,了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤,至少熟悉逻辑或存储工艺中制程、器件、PDK任一部分,有相关研究方向者优先;
2. 专业技能与资格:有finfet经验者优先,有DFM经验者优先,有DRC/LVS经验者优先;
3. 其他要求:具有跨部门沟通与协作能力,能有效处理跨部门间的合作与争议;有…
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包括英文材料
学历+
LVS+
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社招研发技术类

1. 研究生学历,硕士学位及以上,半导体相关专业优先。 2. 要求了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤,至少熟悉逻辑或者存储工艺中制程、器件、PDK任一部分,有相关研究方向者优先 3. 有f

更新于 2026-06-12合肥
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社招2年以上研发技术类

1.硕士及以上学历 ,微电子学及固体电子学、集成电路专业、物理及半导体物理、材料物理化学专业等; 2.熟悉版图软件操作,TCAD仿真、Hspice 仿真、COMSOL半导体仿真等半导体或CMOS或电路

更新于 2026-06-12合肥
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社招研发技术类

1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子学及固体电子学、集成电路、物理、应用物理、半导体物理、材料物理化学等专业; 2. 专业技能与资格:能使用版图软件,能使用TCAD仿真、Hspice仿真、

更新于 2026-06-12合肥
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社招研发技术类

1.博士,微电子学及固体电子学、集成电路专业、物理/应用物理/及半导体物理、材料物理化学专业等; 2.熟悉版图软件操作,其他TCAD仿真、Hspice 仿真、COMSOL半导体仿真等半导体或CMOS或

更新于 2026-06-12合肥