长鑫存储工艺整合(BJ)(J17413)
任职要求
学历要求：本科及以上
专业要求：微电子、物理、材料、化学、数学、统计等理工科专业
其它要求：
1.通过CET-4，具备良好的英文听说读写能力
2.有半导体存储相关课题研究或者相关专利经验优先
3.具备较强的沟通合作能力，适应性强
4.较强的学习能力，沟通能力，吃苦耐劳精神和团队合作精神
5.较强的问题分析和诊断技术及逻辑能力工作职责
1.负责新产品试产，问题追踪并改善，推动产能提升 2.产品制程相关问题分析及改善，包括inline量测、缺陷、电性和良率异常、提升产品品质 3.制程流程优化调整，产品数据分析，包括CP/FT测试数据，电气参数，WAT，或工艺量测数据等，进而找到工艺优化的机会跟方向，提高制程稳定性 4.对相关工艺改良，提升芯片良率 5.了解工艺流程，器件电性特征和良率测试表征，进行相关故障分析和修复
1.负责新产品导入和量产中器件相关问题； 2.通过问题分析及改善,提升器件表现和产品良率； 3.通过工艺改良及新技术引进，提升产品品质； 4.通过工艺流程优化调整,提高制程稳定性；
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/键合/扩散/离子注入/薄膜等 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期
1.熟悉半导体研发工艺和产品流片过程 2.制定、创新工艺制程方案，发现并解决在线工艺问题，协调各个部门提出解决方案，确保产品的进程 3.能够处理在线实验产品，及时应对突发状况，针对测试流片的结果对工艺过程、线上参数、电性、可靠性、良率写总结报告 4.熟悉NAND、NOR、CMOS器件原理，理解版图设计规格，设计测试图形，定期分析WAT参数、良率、可靠性，制定改善措施以优化工艺过程，提高产品良率 5.实施产品流片，制定管控计划，数据收集，问题改善等 6.整合各部门资源，提升工艺技术、产品良率、产品质量及成本效率