长鑫存储蚀刻工艺研发专家-TD Etch Process Expert(J19218)
任职要求
1.硕士研究生以上学历,理工科背景,物理/化学/微电子/材料等理工专业;
2.有7年以上12寸半导体刻蚀工艺研发相关经验;
3.掌握各Dry Etch工艺特…工作职责
1.技术战略引领: 主导蚀刻领域前沿技术研究,制定3-5年技术路线图,推动新工艺/新材料的落地应用; 2.重大技术攻关: 解决行业共性难题,主导开发具有自主知识产权的核心技术,年交付关键工艺突破; 3.技术标准构建: 建立蚀刻工艺全流程技术规范(包括设备参数窗口、缺陷控制标准等),主导编写企业级技术白皮书; 4.跨部门协同创新: 联动整合设备/材料/整合研发资源,主导开发新型蚀刻解决方案),缩短新技术导入周期; 技术风险防控: 建立工艺失效预警模型,主导解决重大异常(如晶圆边缘缺陷问题),保障量产良率; 5.人才梯队建设: 培养高级工程师,构建蚀刻技术知识库.
1. 工艺能力提升与异常闭环:主导现有蚀刻工艺的持续改进,通过DOE实验设计与SPC统计分析提升工艺能力指数,降低缺陷密度,对生产异常进行根因分析并推动问题闭环; 2. 新设备评估与导入:配合新工艺开发需求,主导新型刻蚀设备的评估与导入,参与设备选型、调试、工艺匹配及量产导入全过程; 3. 跨职能协同与技术转移:拉通研发、生产、设备、材料等多方资源,确保新技术顺利转移至量产线,支持新产品从研发到量产的全生命周期管理。
1.技术战略引领: 主导蚀刻领域前沿技术研究,制定3-5年技术路线图,推动新工艺/新材料的落地应用; 2.重大技术攻关: 解决行业共性难题,主导开发具有自主知识产权的核心技术,年交付关键工艺突破; 3.技术标准构建: 建立蚀刻工艺全流程技术规范(包括设备参数窗口、缺陷控制标准等),主导编写企业级技术白皮书; 4.跨部门协同创新: 联动整合设备/材料/整合研发资源,主导开发新型蚀刻解决方案),缩短新技术导入周期; 技术风险防控: 建立工艺失效预警模型,主导解决重大异常(如晶圆边缘缺陷问题),保障量产良率; 5.人才梯队建设: 培养高级工程师,构建蚀刻技术知识库;
1. 熟悉目前主流的高深宽比刻蚀机台; 2. 开发和改进高深宽比CAP EH(AR:45-55) 相关工艺配方,以满足工艺结构要求; 3. CAP EH patterning(SAQP) 工艺优化从而改善工艺窗口; 4. 设计和管理DOE实验,分析,提取,报告和总结,以优化关键流程并确定后续行动。
1.刻蚀工艺开发与优化: 主导国内外主流刻蚀机台的工艺研发,制定并执行工艺优化方案,提升产品良率及工艺稳定性; 2.关键图案化工艺开发: 推动SADP、SAQP、SARP等图案化工艺的开发与验证,满足制程节点对关键尺寸和形貌的要求; 3.制程改善与目标达成: 识别制程瓶颈与效率短板,提出并实施制程改善计划,以达成部门年度工艺能力提升目标; 4.DOE实验设计与分析: 主导设计DOE实验,系统分析实验数据,提取关键结论并输出报告,以优化工艺窗口并确定后续行动方案; 5.机台能力提升与技术决策: 评估主流刻蚀机台在量产中的表现,提供专业技术判断以改善产品效能与质量,持续优化机台工艺能力。