长鑫存储核心存储阵列新产品项目负责人| New Product Array PEL(J16912)
任职要求
1、硕士以上学历，电子科学与技术、微电子、集成电路、半导体、理工科系专业背景尤佳；
2、具备良好的汇报能力、半导体工程问题解决思维，具备半导体产品开发、测试、设计或工艺相关经验，任一满足即可；
…工作职责
DRAM新产品存的PTE产品跨部门项目负责人(核心存储阵列方向) ,负责统筹新产品从产品验证到产品量产导入,包括设计验证,测试流程优化,良率提升。 （1）制定新产品的整体新产品导入策略、测试计划、管理项目时程，确保项目准时达交； （2）负责协调PTE内外功能部门进行产品功能性验证确保效率资源最大化并统筹工艺或设计问题，确保问题最终获得解决；
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
职责： 1、设计与存储单元阵列相关的核心电路，并开发DRAM通用IP。 2、评估并优化高性能DDR和LPDDR的内存架构。 3、模拟、验证和分析电路功能和性能。 4、协助建立设计流程和质保流程。 5、监督布局和验证过程，包括布局规划、布局和布线；并指导布局工程师进行布局开发。 6、为产品工程部门提供硅调试方面的支持。
1. 主导面向ToB场景的Android端多模态交互系统架构设计与核心模块开发，包括语音采集/播放、摄像头控制、传感器融合、UI响应、状态管理等。 2. 与AI算法团队紧密协作，高效集成语音识别（ASR）、语音合成（TTS）、视觉理解（CV）、大语言模型（LLM）等端侧推理模块，优化模型加载、推理调度与资源协同策略。 3. 设计并实现低延迟、高并发的双工对话通道，支持实时打断、动态判停、上下文感知等高级交互能力在端侧的稳定运行。 4. 构建可扩展、可配置的SDK或中间件，支持多行业客户（如车企、手机厂商、IoT设备商）的快速接入与定制化需求。 5. 参与端云协同架构设计，在保障本地交互流畅性的同时，确保数据传输、存储与处理符合GDPR、CCPA、中国《个人信息保护法》等国内外隐私合规要求。 6. 深度集成系统级安全能力，包括应用权限管控、敏感操作审计、安全启动验证、密钥管理及安全OTA升级机制，提升端侧整体安全水位。