长鑫存储CMOS器件研发工程师-CMOS Device Engineer(J17033)

社招全职5年以上研发技术类2026-06-12地点：合肥状态：招聘

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任职要求

1.硕士及以上学历，微电子、电子工程、材料科学、物理等相关专业。
2.5年以上半导体器件研发工程经验，有先进DRAM/Logic 成功研发/量产经验者优先。
3.深入理解半导体器件物理、制造工艺全流程及各模块（光刻、蚀刻、薄膜、扩散、离子注入、CMP）的相互作用。
4…

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工作职责

1、负责特定技术节点或特定产品的CMOS device 性能优化工作，达成产品性能、良率及可靠性目标。
2、针对电性失效（Electrical Failure）和良率损失（Yield Loss），定位问题根源（Root Cause），通过工艺优化或测试调整解决问题。
3、设计并执行整合层级的实验（DOE），优化整体CMOS 制程条件。
4、与产品工程师（Product Engineer）、良率工程师（Yield Engineer）、设计部门（Design）紧密合作，进行产品性能调试（Debug）和良率提升（Yield Improvement）。"

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难度：

包括英文材料

学历+

数据分析+

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1. 标准制定：制定Array/CMOS器件和工艺可靠性的标准，确保产品满足行业与内部要求； 2. 机理研究与改进：研究工艺可靠性测试结构与失效机理，提出失效模型和改进建议，指导产线质量改善； 3. 失效分析与诊断：对半导体器件可靠性失效进行工程分析，准确诊断并找到失效的物理原因，输出分析报告； 4. 方法开发与结构设计：基于产品设计和工艺特点，开发新的器件可靠性测试分析方法，设计相关测试结构，确保产品符合工业标准与客户需求； 5. 监控与报告：定期监控产线的可靠性水平，发布监控报告，及时预警异常波动。

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更新于 2026-06-12合肥