长鑫存储DRAM 器件工程师|DRAM Device Engineer(J16226)

1.根据产品设计需求和工艺能力，开展DRAM array/BL selector等晶体管器件的建模仿真，为器件选型、TEG/mini array设计及MTS/EDR target制定提供依据，支持完成研发项目出带的器件相关工作； 2.制定DRAM器件实验lot的NP/Bench/WAT电性测试方案，追踪lot并协调资源完成测试任务； 3.分析DRAM晶体管器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件存在的问题及其物理机制，为器件参数优化指明方向； 4.与工艺工程师和整合工程师合作，改善器件各工艺条件以不断优化器件性能； 5.与设计团队对接，保持器件和电路设计相关信息的良性交互。

1.分析Array器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件所存在的问题和物理机制，促使器件参数达标； 2.结合WAT、inline和CP数据，从电性角度分析良率提升的方向； 3.与工艺工程师和整合工程师合作，改善工艺条件和器件结构参数，促使器件特性和良率提升； 4.进行器件改善和良率改善lot的试验，并对电性等结果进行分析； 5.根据产品设计需求和工艺能力，制定器件电学目标和结构物理参数目标。

1.DRAM逻辑器件设计及工艺开发； 2.DRAM核心区器件设计及优化； 3.制程工艺TCAD仿真； 4.HKMG器件工艺开发； 5.DRAM可靠性评估与改进。

1.理解和掌握DRAM的工作原理 2.掌握DRAM的CP工程测试的能力； 3.与器件工程师和产品工程师合作，发现Chip中器件相关的低良率问题并解决； 4.开发新的产品/架构中Array的测试方法； 5.对测试中遇到问题需及时主动反应与沟通；