长鑫存储DRAM 器件工程师|DRAM Device Engineer(J16226)

社招全职2年以上研发技术类2025-09-19地点：合肥状态：招聘

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任职要求

1.微电子，物理，材料等工科相关专业硕士研究生及以上学位；
2.两年以上器件\设计\工艺集成相关工作经验，能熟练使用TCAD等器件仿真工具，具有丰富…

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工作职责

1.根据产品设计需求和工艺能力，开展DRAM array/BL selector等晶体管器件的建模仿真，为器件选型、TEG/mini array设计及MTS/EDR target制定提供依据，支持完成研发项目出带的器件相关工作；
2.制定 DRAM器件实验lot的NP/Bench/WAT电性测试方案，追踪lot并协调资源完成测试任务；
3.分析DRAM晶体管器件WAT，结合bench测试和FA，解析器件存在的问题及其物理机制，为器件参数优化指明方向；
4.与工艺工程师和整合工程师合作，改善器件各工艺条件以不断优化器件性能；
5.与设计团队对接，保持器件和电路设计相关信息的良性交互。

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难度：

包括英文材料

学历+

数据分析+

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