长鑫存储DRAM系统测试与失效分析工程师 | DRAM System Test and Failure Analysis Engineer(J16895)
社招全职3年以上研发技术类地点:合肥状态:招聘
任职要求
1、本科及以上学历,电子、计算机、通信等相关专业;
2、3年以上高速接口信号测量相关经验;
3、具备一定DRAM知识, 如熟读DRAM datasheet;
4、能熟练使用示波器与逻辑分析仪等相关测试测量设备;
5、扎实的电路基础知识、基本了解信号完整性理论知识、基本了解计算机硬件架构及工作原理;
6、熟练使用电烙铁,热风枪,有一定的焊接能力;
7、有DRAM相关行业测试工作经历者优先
工作职责
1、负责DRAM 高速信号和协议时序测量与分析,并给出测试报告 2、负责DRAM新产品及其相关新平台各阶段发生的系统失效的量测分析并给出结论; 3. 系统相关新平台的UIP测试,并能熟练掌握 4、新测量设备导入与学习使用; 5、研究和改进设备测量方法,丰富测量手段,提高测量准确度。
包括英文材料
学历+
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社招研发技术类
1. 负责DRAM产品(Component,DIMM/模组)系统测试的失效分析与良率提升 2. 根据不同产品以及客户测试条件,设计并定位失效样品的失效场景,并整理归纳相关测试数据 3. 提供逻辑完善的电性失效分析报告(包括客退RMA)并推动测试覆盖率提升,生产以及工程问题分析与改善 4. 实验室5S维护,失效分析实验室的能力建设。根据新产品及时导入新的失效分析设备和分析手法 5. 测试效率提升,支持客户特殊定制化需求
更新于 2025-09-19
社招A92644
1、负责字节跳动自研项目中使用的新型存储介质的系统级可靠性和RAS需求分析和可测试性需求分析; 2、负责字节跳动自研项目中使用的新型存储介质的系统级硅后验证方案与实施、系统级压力测试、系统Margin方案与实施、SLT筛片方案与实施、与合作伙伴和周边团队协作进行良率优化; 3、负责字节跳动自研项目中使用的新型存储介质的量产导入支撑工作,与合作伙伴和周边团队协作进行失效分析; 4、负责字节跳动自研项目中使用的新型存储介质的验证与测试相关方法学与流程建设。
更新于 2024-12-05
社招7年以上研发技术类
1. DIMM/模组以及LPDDR DRAM产品在系统级别测试的故障分析,测试良率提升 2. DIMM/模组以及LPDDR DRAM产品在系统级别测试结果分析与验证 3. RMA缺陷故障,生产及工程问题分析与改善 4. 团队管理与建设,跨部门沟通与协同合作
更新于 2025-09-19