长鑫存储器件研发工程师-FAB TD Device Engineer(J13912)
社招全职5年以上研发技术类地点:合肥状态:招聘
工作描述
任职要求
1.教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、电子工程、材料科学、物理等相关专业;
2.行业与专业经验:5年以上半导体器件研发工程经验,有先进DRAM/Array device/Logic成功研发/量产经验者优先;
3.专业技能与资格:深入理解半导体器件物理、制造工艺全流程及各模块的相互作用;精通半导…登录查看完整工作描述
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包括英文材料
学历+
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更新于 2026-06-12北京
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