长鑫存储器件研发工程师-TD Device Engineer(J14370)
社招全职3年以上研发技术类地点：北京状态：招聘
工作描述
任职要求
1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子学、半导体器件、集成电路、材料科学等相关专业背景；
2. 专业技能与资格：具备JMP或SAS数据分析能力，能独立完成WAT及in-line数据关联分析，具备基本的英语沟通能力，能进行英文口语沟通及报告书写；
3. 行业与专业经验：具有3年以上Device、PIE或Des…登录查看完整工作描述
微信扫码，1秒登录
相关职位
社招研发技术类
1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，半导体相关专业优先，了解MOS及存储器件基本原理及工艺制造基本步骤，至少熟悉逻辑或存储工艺中制程、器件、PDK任一部分，有相关研究方向者优先； 2. 专业技
更新于 2026-06-12合肥
社招5年以上研发技术类
1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、电子工程、材料科学、物理等相关专业； 2.行业与专业经验：5年以上半导体器件研发工程经验，有先进DRAM/Array device/Logic成功研发
更新于 2026-06-12合肥
社招3年以上研发技术类
1、具有微电子、物理、材料等专业硕士研究生及以上学历； 2、具备半导体器件物理、CMOS、passive device 工作原理基础知识，了解工艺流程； 3、具有半导体行业经验，有device、spi
更新于 2026-06-12合肥
社招1年以上研发技术类
1.具有微电子、集成电路、物理或材料等相关专业硕士研究生及以上学历，博士优先； 2. 精通半导体器件物理、CMOS工艺原理，熟悉常见类型SRAM的工作原理和相关外围电路设计方法； 3.具有1年及以上S
更新于 2026-06-12合肥