长鑫存储电性失效分析产品核心代表 | Electrical Failure Analysis Key Representative(J15671)
任职要求
1. 全日制硕士或以上学历，微电子/半导体物理/材料类等理工科相关专业，熟悉半导体为佳；
2. 具备电路设计工作经验者优先，熟悉晶圆制造/封装工艺，有在集成电路产业工作的经验为佳;
3. 有丰富测试经验及对半导体基础知识有一定了解；有芯片EFA和PFA经验优先；
4. 工作积极主动责任感强，有良好的团队协作与沟通能力，具备较强的分析解决问题能力。工作职责
1. 担任EFA产品KR，负责统筹所带产品的FA相关事项； 2. 负责研发产品Silicon Analog电路验证 或 负责量产/研发产品的电性失效验证，并提供逻辑完善的电路验证报告； 3. 与设计部门，制造部门，测试部门，品保部门合作提升产品质量； 4. 主要涉及仪器：测试机，示波器，热点机台(EMMI，OBRICH，Thermal) 等; 5. 及时高效的完成组长或经理交予的相关工作任务。
1. 针对新产品导入过程中的良率问题，能够进行深入的分析 2. 负责特定技术节点或特定产品的良率分析工作 3. 负责协调跨部门合作，参与推动新工艺研发问题的解决并不断改善，确保transfer按时完成 5. 团队技能培训及核心成员的培养"
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
岗位使命： 作为长鑫存储技术战略的核心践行者，您将主导高密度DRAM技术平台的颠覆性创新，驱动半导体产业变革，以尖端工艺整合能力重塑存储技术的研发范式 核心价值贡献： 1.战略解码与技术定义： -参与存储技术路线图规划，联动市场部与设计部进行需求-技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标（如速度、功耗、密度），主导工艺规格的顶层设计，确保技术路径与商业战略高度契合 2.制程整合创新： -协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队，制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性 3.跨域协同创新： -领衔“四位一体”技术攻坚体系（设计/器件/工艺/检测），构建从纳米级器件物理模型到晶圆级制造的系统化平台，突破存储单元微缩化极限、阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数-工艺参数-缺陷控制的全局最优解 4.技术生态构建： -打造业界领先的工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期（需求定义→工艺开发→良率爬坡→量产导入），重塑存储技术量产范式
1. 负责公司产品生命周期的有效管理，并在量产阶段全面支持客户对产品技术和质量方面的诉求； 2. 处理成品相关的客诉和产品失效分析，通过技术分析和实验确定根因，并推动问题闭环管理； 3. 监控并持续提高产品质量，矫正和优化产品设计，改进测试拦截效率； 4. 负责贴牌类SSD、UFS、eMMC开发过程中合作商的技术交付评审：包括设计文档评审，仿真报告审核，测试计划和测试结果评审、认证计划和结果评审等；并选择性的进行产品验收测试（功能验证，参数特性测试验证等）