长鑫存储DRAM电路设计工程师（DFT） I DRAM Circuit Design Engineer（DFT）(J16545)

任职要求

1.有内存设计经验者优先；
2.有DDR/LPDDRDRAM产品设计和验证经验者优先；
3.对数字/模拟电路和CMOS器件原理有深刻的认识和理解；
4.熟悉Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、C…

工作职责

1.芯片级DFT架构定义和设计：参与芯片DFT架构的定义和设计，确保芯片设计满足可测试性要求。
2.采用全定制电路设计方法和低功耗电路设计方法学完成DFT电路设计、仿真和优化等工作，包括压缩测试模式、MBIST（Memory Built-In Self-Test）等。
3.协助测试工程师进行ATE（Automatic Test Equipment）silicon分析，debug测试failure，提高芯片良率。
4.负责DRAM DFT设计与测试软硬件协同，帮助实现测试效率提升和测试成本缩减。
5.与其他团队协作：包括指导版图团队进行相关电路布局布线、协同验证团队进行电路调试和问题解决、与测试团队合作进行DFT需求管理与设计实现等。