长鑫存储DRAM模组性能技术专家|DRAM Module Performance Technical Engineering leader(J17228)
任职要求
任职要求： 1. 通信、电子工程、计算机、微电子相关专业本科以上学历 2. 5年及以上电子产品研发、设计、验证等相关工作经验，有直接参与内存模组性能优化项目的经验者优先 3. 熟悉内存模组的设计、制造和测试流程，对内存技术的发展趋势有深入的了解。 4. 熟悉X86/ARM/RSIC架构 5. 较强的逻辑思维、换位思考能力，能准确把握需求，制定策略 6. 较强的沟通能力，跨部门协调能力
工作职责
1. 性能分析与评估：深入分析内存模组的工作原理和架构，结合实际测量数据，探究影响内存性能的各种因素，建立性能分析模型。 2. 性能优化策略制定与实施: 根据性能分析结果，制定切实可行的内存模组性能优化策略，涉及硬件和软件多个层面。 3. 跨部门协作与沟通：与内存模组设计，测试团队密切合作，将性能优化的需求和建议融入到产品设计的全过程中，确保设计方案在满足性能要求。 4. 技术跟踪与创新：密切关注国内外内存技术和性能优化方法和相关行业标准的更新，及时掌握新技术、新方法和新趋势。
1. 竞品信息收集与整理：建立全面的内存模组竞品监测体系，涵盖主要内存模组品牌，竞品的信息包括产品型号、规格参数（如容量、频率、时序、电压等）、目标市场、应用场景、确保信息的准确性和时效性。 2. 竞品深度分析: 对竞品的技术性能进行深入分析，包括内存模组的性能、稳定性、功耗等关键指标，并与公司产品进行对比分析，找出双方的优势与劣势，明确公司产品的改进方向。预测竞品未来的技术发展趋势，为公司的技术研发提供参考，提前布局相关技术领域，避免技术落后。 3. 跨部门协作与沟通：与内存模组设计，测试，竞品分析团队密切合作，及时传递竞品的技术信息和分析结果，协助团队了解技术趋势，确保研发的产品符合市场期望。 4. 行业趋势研究：关注内存模组行业的整体发展趋势，包括技术发展方向、市场需求变化等。
1. 功耗分析与研究：深入分析内存模组的工作原理和架构，结合实际测量数据，研究不同因素（如工作频率、电压、数据访问模式）对功耗的影响机制，建立详细的功耗模型。针对不同应用场景，评估内存模组的功耗表现，识别出高功耗环节和潜在的优化点。 2. 优化策略制定与实施：根据功耗分析结果，制定针对性的内存模组功耗优化策略，包括但不限于硬件层面的电路设计优化、芯片选型调整，内存管理算法改进等。 3. 跨部门协作与沟通：与内存模组设计，测试团队密切合作，将功耗优化的需求和建议融入到产品设计的全过程中，确保设计方案在满足性能要求的同时，实现最佳的功耗表现。 4. 技术跟踪与创新：密切关注国内外内存技术和功耗管理领域的最新发展动态，跟踪行业标准的更新和变化，及时掌握新技术、新方法和新趋势。
1.推动内存产品的竞争力提升与方案落地，包括但不局限于竞品分析, 差距识别，方案落地等; 2.推动产品的竞争力指标定义、包含功耗，性能，成本，TTM等多维度考量; 3.跨部门合作，支持soc vendor及客户端相关问题闭环; 4.解决Module关键问题，与module PM一起确保产品高效交付;
1. 负责UDIMM、SODIMM等PC内存产品的项目技术管理，设计流程及交付件管理，产品质量管控 2. 负责emerging DIMM LPCAMM等产品的定义、产品feature的设计 3. 负责DIMM产品竞争力目标的评估和定义 4. 负责soc及customer相关的module技术问题 5. 解决Module关键问题，与module PM一起确保产品高效交付