长鑫存储扩散离子注入工艺研发工程师/专家 |TD DF Implant Process Engineer/Expert(J15304)
任职要求
1. 硕士及以上学历，物理、化工、化学、材料、微电子或其他相关理工科领域 ；
2. 五年以上半导体制造 DF工艺相关经验 掌握各工艺特点，熟悉及深入了解 DF 相关半导体制程与设备相关知识，具有跨部门多方面知识为佳 ；
3. 具备与 Device cowork & simulation 经验为佳；
4. 良好的沟通协调技巧, 较强的沟通表达能力和执行力、组织协调能力和团队合作精神；
5. 抗压能力强， 学习能力强，具有处理复杂问题能力及有效运用资源提出解决方案。工作职责
1. Implant 工艺开发； 2. Advance implant 开发 (Cold , hot implant......)； 3. Iimplant & Device 机理研究。
1.负责新产品制程技术的研发和维护，包含光刻/光罩/蚀刻/清洗/化学机械研磨/扩散/离子注入/薄膜等； 2.与设计/器件/工艺整合和可靠性等相关部门通力合作，满足新产品制程的电性/可靠性/良率与成本要求； 3.主导新型机台和新型材料的合作研发和评估开发，协同制定和实现未来的技术发展线路； 4.负责研发效率提升以缩短新产品研发周期，包含工艺仿真开发/研发数据智能分析/项目资源管理等； 5.负责与量产部门的无缝技术转移，以尽量缩短新产品上市周期。
1、负责特定技术节点或特定产品的Array/CMOS device 性能优化工作，达成产品性能、良率及可靠性目标； 2、针对电性失效（Electrical Failure）和良率损失（Yield Loss），定位问题根源（Root Cause），通过工艺优化或测试调整解决问题； 3、设计并执行整合层级的实验（DOE），优化整体Array 制程条件； 4、与产品工程师（Product Engineer）、良率工程师（Yield Engineer）、设计部门（Design）紧密合作，进行产品性能调试（Debug）和良率提升（Yield Improvement）。
1、负责特定技术节点或特定产品的CMOS device 性能优化工作，达成产品性能、良率及可靠性目标。 2、针对电性失效（Electrical Failure）和良率损失（Yield Loss），定位问题根源（Root Cause），通过工艺优化或测试调整解决问题。 3、设计并执行整合层级的实验（DOE），优化整体CMOS 制程条件。 4、与产品工程师（Product Engineer）、良率工程师（Yield Engineer）、设计部门（Design）紧密合作，进行产品性能调试（Debug）和良率提升（Yield Improvement）。"
1. 针对新产品导入过程中的良率问题，能够进行深入的分析 2. 负责特定技术节点或特定产品的良率分析工作 3. 负责协调跨部门合作，参与推动新工艺研发问题的解决并不断改善，确保transfer按时完成 5. 团队技能培训及核心成员的培养"